RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 5, страницы 602–606 (Mi qe6488)  

Нелинейная оптика

Особенности ГВГ в пластинах GaAs

В. Ф. Краснов, В. И. Проць, А. М. Рубенчик, С. Г. Струц, М. Ф. Ступак


Аннотация: Экспериментально исследована ГВГ при отражении от GaAs среза (111) и GaAs среза (100). Выявлено, что для пластин с полированными поверхностями значителен вклад в нелинейно-оптический сигнал, обусловленный переотражением от тыльной поверхности излучения ИAГ:Nd-лазера. Указаны преимущества диагностики кристаллического состояния по ГВГ на просвет.

Полный текст: PDF файл (1305 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:5, 532–536

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826+535.317
PACS: 42.65.Ky, 42.55.Rz, 42.60.Jf, 78.68.+m
Поступила в редакцию: 21.03.1989

Образец цитирования: В. Ф. Краснов, В. И. Проць, А. М. Рубенчик, С. Г. Струц, М. Ф. Ступак, “Особенности ГВГ в пластинах GaAs”, Квантовая электроника, 17:5 (1990), 602–606 [Sov J Quantum Electron, 20:5 (1990), 532–536]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe6488
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v17/i5/p602

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:96
    Полный текст:47
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021