|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1018–1026
(Mi qe6920)
|
|
|
|
Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле
BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$
Б. М. Антипенко
Аннотация:
Показано, что, начиная с удельной поглощенной энергии излучения неодимового лазера накачки 1 Дж/см$^3$ в кристалле $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$ (0,5%), очевидный механизм заселения состояния $ ^5I_7$ активатора (безызлучательный перенос энергии от ионов сенсибилизатора $|^2F_{5/2}(Yb), ^5I_8(Ho)> \to|^2F_{7/2}(Yb), ^5I_6(Ho)>$ с последующей релаксацией $| ^5I_6(Ho)>\sim\to| ^5I_7(Ho)>)$ заменяется на кооперативный, включающий три последовательные стадии ступенчатой
сенсибилизации: $|^2F_{5/2}(Yb), ^5I_8(Ho)>\to|^2F_{7/2}(Yb), ^5I_6(Ho)>$;
$|^2F_{5/2}(Yb), ^5I_6(Ho)>\to|^2F_{7/2}(Yb), ^5S_2(Ho)$;
$|^2F_{5/2}(Yb), ^5S_2(Ho)>\to|^2F_{7/2}(Yb), ^3H_6(Ho)>$, и две последовательные стадии межцентровой кросс-релаксации: $|^5G_4(Ho), ^2F_{7/2}(Yb)>\to|^5F_5(Ho), ^2F_{5/2}(Yb)>$;
$|^5F_5(Ho), ^2F_{7/2}(Yb)>\to|^5I_7(Ho), ^2F_{5/2}(Yb)>$. Определены пути оптимизации активной среды лазерного переизлучателя 2 мкм на основе $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$. Обсуждена перспектива
создания анти-стоксова ($1,06\to0,75$ мкм) лазерного переизлучателя.
Полный текст:
PDF файл (1744 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 607–612
Реферативные базы данных:
Тип публикации:
Статья
УДК:
621.373:535
PACS:
42.55.Rz Поступила в редакцию: 15.04.1980 Исправленный вариант: 25.08.1980
Образец цитирования:
Б. М. Антипенко, “Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле
BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1018–1026 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 607–612]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ant81}
\by Б.~М.~Антипенко
\paper Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле
BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$
\jour Квантовая электроника
\yr 1981
\vol 8
\issue 5
\pages 1018--1026
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe6920}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1981
\vol 11
\issue 5
\pages 607--612
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1981v011n05ABEH006920}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=A1981LR87900012}
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/qe6920 http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1018
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 90 | Полный текст: | 59 |
|