RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1018–1026 (Mi qe6920)  

Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$

Б. М. Антипенко


Аннотация: Показано, что, начиная с удельной поглощенной энергии излучения неодимового лазера накачки 1 Дж/см$^3$ в кристалле $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$ (0,5%), очевидный механизм заселения состояния $ ^5I_7$ активатора (безызлучательный перенос энергии от ионов сенсибилизатора $|^2F_{5/2}(Yb), ^5I_8(Ho)> \to|^2F_{7/2}(Yb), ^5I_6(Ho)>$ с последующей релаксацией $| ^5I_6(Ho)>\sim\to| ^5I_7(Ho)>)$ заменяется на кооперативный, включающий три последовательные стадии ступенчатой сенсибилизации: $|^2F_{5/2}(Yb), ^5I_8(Ho)>\to|^2F_{7/2}(Yb), ^5I_6(Ho)>$; $|^2F_{5/2}(Yb), ^5I_6(Ho)>\to|^2F_{7/2}(Yb), ^5S_2(Ho)$; $|^2F_{5/2}(Yb), ^5S_2(Ho)>\to|^2F_{7/2}(Yb), ^3H_6(Ho)>$, и две последовательные стадии межцентровой кросс-релаксации: $|^5G_4(Ho), ^2F_{7/2}(Yb)>\to|^5F_5(Ho), ^2F_{5/2}(Yb)>$; $|^5F_5(Ho), ^2F_{7/2}(Yb)>\to|^5I_7(Ho), ^2F_{5/2}(Yb)>$. Определены пути оптимизации активной среды лазерного переизлучателя 2 мкм на основе $BaYb_2F_8:Ho^{3+}$. Обсуждена перспектива создания анти-стоксова ($1,06\to0,75$ мкм) лазерного переизлучателя.

Полный текст: PDF файл (1744 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 607–612

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373:535
PACS: 42.55.Rz
Поступила в редакцию: 15.04.1980
Исправленный вариант: 25.08.1980

Образец цитирования: Б. М. Антипенко, “Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1018–1026 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 607–612]

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ant81}
\by Б.~М.~Антипенко
\paper Механизмы выхода возбуждения в двухмикрометровый канал генерации в кристалле
BaYb$_2$F$_8$:Ho$^{3+}$
\jour Квантовая электроника
\yr 1981
\vol 8
\issue 5
\pages 1018--1026
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe6920}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1981
\vol 11
\issue 5
\pages 607--612
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1981v011n05ABEH006920}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=A1981LR87900012}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe6920
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1018

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:90
    Полный текст:59
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021