RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1073–1078 (Mi qe6944)  

Влияние адгезии на процессы лазерного нагревания и разрушения тонких поглощающих пленок

Е. Б. Яковлев

Ленинградский институт точной механики и оптики

Аннотация: Предложен феноменологический подход к учету влияния адгезии на темп нагревания тонких пленок при лазерном облучении. Показано, что величина адгезии определяет механизм разрушения тонких пленок в режиме порога развитого разрушения (ПРР). Определены условия, при которых механизм разрушения тонких пленок скатыванием расплава является основным в режиме ПРР.

Полный текст: PDF файл (982 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 637–640

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 539.216.22
PACS: 61.80.-x, 68.60.+q, 42.60.He
Поступила в редакцию: 24.09.1980

Образец цитирования: Е. Б. Яковлев, “Влияние адгезии на процессы лазерного нагревания и разрушения тонких поглощающих пленок”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1073–1078 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 637–640]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe6944
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1073

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:94
    Полный текст:55
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021