 |
|
|
|
|
|
Краткие сообщения Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва Аннотация: Проведено теоретическое и экспериментальное исследование динамических характеристик инжекционного полупроводникового усилителя (ПУ) излучения в линейном режиме и при насыщении по входному сигналу. Показано, что в нелинейном режиме быстродействие ПУ ограничено при импульсно-кодовой модуляции величиной порядка времени спонтанной рекомбинации. Указаны некоторые возможности использования нелинейного режима работы ПУ в быстродействующих системах связи.  Полный текст:
PDF файл (722 kB)
Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5,  Реферативные базы данных: 
Тип публикации: Статья УДК: 621.375.8.038.825.4 PACS: 42.55.Px Поступила в редакцию: 15.09.1980 Образец цитирования: В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович, “Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), Образцы ссылок на эту страницу:
Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Обратная связь: |
 Пользовательское соглашение
|
Регистрация |
Логотипы |
|