|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1095–1098
(Mi qe6954)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs
В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Проведено теоретическое и экспериментальное исследование динамических характеристик инжекционного полупроводникового усилителя (ПУ) излучения в линейном режиме и при насыщении по входному сигналу. Показано, что в нелинейном режиме быстродействие ПУ ограничено при импульсно-кодовой модуляции величиной порядка времени спонтанной рекомбинации. Указаны некоторые возможности использования
нелинейного режима работы ПУ в быстродействующих системах связи.
Полный текст:
PDF файл (722 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 650–652
Реферативные базы данных:
Тип публикации:
Статья
УДК:
621.375.8.038.825.4
PACS:
42.55.Px Поступила в редакцию: 15.09.1980
Образец цитирования:
В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович, “Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1095–1098 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 650–652]
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/qe6954 http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1095
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 107 | Полный текст: | 50 |
|