|
Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1124–1126
(Mi qe7018)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Влияние окисной пленки на поверхности твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, В. Ф. Певцов Всесоюзный научно-исследовательский институт метрологической службы, Москва
Аннотация:
Исследовано влияние времени травления твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с поперечной накачкой электронным пучком. Показано, что обработка поверхности образцов в слабом растворе аммиака позволяет примерно в 1,5 раза снизить пороговую плотность тока лазера с волноводной структурой резонатора при энергиях электронного пучка меньших 15 кэВ.
Полный текст:
PDF файл (554 kB)
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 672–673
Реферативные базы данных:
Тип публикации:
Статья
УДК:
621.375.826+621.315.59
PACS:
42.55.Px Поступила в редакцию: 08.10.1980
Образец цитирования:
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, В. Ф. Певцов, “Влияние окисной пленки на поверхности твердых растворов Ga1–xAlxAs на пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1124–1126 [Sov J Quantum Electron, 11:5 (1981), 672–673]
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/qe7018 http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i5/p1124
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 78 | Полный текст: | 47 |
|