RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1170–1176 (Mi qe7030)  

О температурной зависимости усиления моноимпульсов в АИГ:Nd3+

В. А. Бученков, И. Б. Витрищак, В. Г. Евдокимова, Л. Н. Сомс, А. И. Степанов, В. К. Ступников


Аннотация: Рассмотрена температурная зависимость усиления импульсов длительностью ~10 нс в АИГ:Nd3+ в предположении значительного времени жизни нижнего рабочего уровня с учетом больцмановского распределения населенностей подуровней мультиплетов 4F3/2 и 4I11/2. Экспериментально подтверждена адекватность этой модели активной среды.

Полный текст: PDF файл (1015 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:6, 702–705

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 01.044:621.375.32
PACS: 42.55.Rz
Поступила в редакцию: 02.06.1980

Образец цитирования: В. А. Бученков, И. Б. Витрищак, В. Г. Евдокимова, Л. Н. Сомс, А. И. Степанов, В. К. Ступников, “О температурной зависимости усиления моноимпульсов в АИГ:Nd3+”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1170–1176 [Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 702–705]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe7030
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i6/p1170

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:92
    Полный текст:81
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020