RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 6, страницы 1177–1185 (Mi qe7031)  

Особенности столкновительной диссоциации N2F4, возбуждаемого резонансным ИК излучением

Н. Н. Акинфиев, А. Н. Ораевский, А. В. Панкратов, С. Е. Панкратов, В. П. Пименов, А. Н. Скачков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследована столкновительная диссоциация тетрафторгидразина N2F4 + M → 2NF2 + M, инициируемая излучением CO2-лазера. Показано, что при малых уровнях возбуждения (~ 1 квант/молек.) процесс является термодинамически равновесным, а его кинетика определяется условием адиабатичности диссоциации. Увеличение энерговклада до ~3 квант/молек. приводит к появлению радиационной, не зависящей от давления стадии диссоциации с последующей неравновесной столкновительной диссоциацией, представляющей собой деактивацию при радиационной функции распределения молекул по энергиям. По результатам экспериментов получены оценки для характерных времен бесстолкновительного (~40 нс) и столкновительного распада (~ 0,2 мкс· мм рт. ст.) возбуждаемого уровня, а также для времени VT-релаксации N2F4 (5 <τVT <20 мкс· мм рт. ст.).

Полный текст: PDF файл (1450 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:6, 706–711

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 33.80.Gj
Поступила в редакцию: 01.09.1980

Образец цитирования: Н. Н. Акинфиев, А. Н. Ораевский, А. В. Панкратов, С. Е. Панкратов, В. П. Пименов, А. Н. Скачков, “Особенности столкновительной диссоциации N2F4, возбуждаемого резонансным ИК излучением”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1177–1185 [Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 706–711]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe7031
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i6/p1177

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:88
    Полный текст:51
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020