RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 9, страницы 1150–1154 (Mi qe7402)  

Лазеры и усилители

Влияние неоднородности накачки и усиленного спонтанного излучения на характеристики широкоапертурного ХеСl-усилителя

А. В. Демьянов, А. А. Дерюгин, Н. А. Дятко, Н. Н. Елкин, И. В. Кочетов, А. П. Напартович, П. И. Свотин

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва

Аннотация: Проведен трехмерный расчет в декартовых координатах двухпроходного XeCl-усилителя объемом 1X1X3 м при p = 1 атм (смесь Аг:Хе:НСl = 700:60:1). Использована полная модель процессов в активной среде. Методом Монте-Карло рассчитано распределение мощности энерговклада в объеме от встречных электронных пучков (J = 20 А/см2, εe = 0,4–0,5 МэВ), направленных поперек оптического потока. Изучено влияние паразитного усиленного спонтанного излучения на эффективность усилителя. Рассчитаны распределения выходного излучения в дальней зоне с учетом искажений волнового фронта из-за аномальной дисперсии и рефракции на электронах для разных типов неоднородности накачки.

Полный текст: PDF файл (1441 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:9, 1060–1063

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.375.8.038.823
PACS: 42.60.Da, 42.60.Lh, 42.60.Jf, 42.55.Lt, 42.79.Ag
Поступила в редакцию: 12.09.1989

Образец цитирования: А. В. Демьянов, А. А. Дерюгин, Н. А. Дятко, Н. Н. Елкин, И. В. Кочетов, А. П. Напартович, П. И. Свотин, “Влияние неоднородности накачки и усиленного спонтанного излучения на характеристики широкоапертурного ХеСl-усилителя”, Квантовая электроника, 17:9 (1990), 1150–1154 [Sov J Quantum Electron, 20:9 (1990), 1060–1063]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe7402
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v17/i9/p1150

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:94
    Полный текст:52
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020