RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 10, страницы 2109–2114 (Mi qe7573)  

Влияние дифракции излучения на усиление поперечным потоком активной среды

Н. Н. Елкин, В. В. Лиханский, А. П. Напартович

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова

Аннотация: Рассмотрено усиление лазерного излучения в потоке активной среды. Найдены аналитические зависимости для изменения амплитуды и фазы поля. Численно рассчитано усиление излучения с учетом дифракционного расплывания. Асимптотики численных решений соответствуют полученным аналитическим выражениям.

Полный текст: PDF файл (893 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:10, 1389–1392

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:535.42
PACS: 42.60.Jf, 42.70.Hj
Поступила в редакцию: 12.08.1985

Образец цитирования: Н. Н. Елкин, В. В. Лиханский, А. П. Напартович, “Влияние дифракции излучения на усиление поперечным потоком активной среды”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2109–2114 [Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1389–1392]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe7573
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v13/i10/p2109

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:78
    Полный текст:50
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020