RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 546–552 (Mi qe7856)  

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Формирование профиля плотности плазмы вблизи критической поверхности под действием пондеромоторной силы

Н. Н. Демченко, В. Б. Розанов, М. Н. Тагвиашвили

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассматривается плоское стационарное изотермическое течение плазмы с учетом пондеромоторной силы лазерного излучения, нормально падающего на критическую поверхность. Показано, что в зависимости от скорости и плотности плазмы в надкритической области и от интенсивности падающего излучения переход через точку Жуге может осуществляться как непрерывно, так и через ударную волну. Для непрерывного перехода необходимо, чтобы указанные три параметра удовлетворяли двум соотношениям. При нарушении этих соотношений требуется введение разрыва плотности и скорости. Такой разрыв позволяет выбрать из двух решений, различающихся знаком скорости, одно, которое соответствует ударной волне сжатия. При непрерывном решении возможны оба направления движения.

Полный текст: PDF файл (799 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:3, 361–365

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:533.9
PACS: 52.30.-q, 52.35.Tc, 52.38.-r, 52.25.Kn
Поступила в редакцию: 14.12.1987

Образец цитирования: Н. Н. Демченко, В. Б. Розанов, М. Н. Тагвиашвили, “Формирование профиля плотности плазмы вблизи критической поверхности под действием пондеромоторной силы”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 546–552 [Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 361–365]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe7856
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v16/i3/p546

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:84
    Полный текст:61
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021