Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 9, страницы 1985–1987 (Mi qe8289)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP

В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведены ресурсные испытания гетероструктур GalnPAs/InP, предназначенных для инжекционных лазеров и светодиодов в диапазоне 1,2–1,3 мкм. В режиме некогерентного излучения полосковые диоды исследовались при температурах 25–80°C методом ступенчатых испытаний. При температуре окружающей среды 80°C фактическая наработка при токе плотностью 3–5 кА/см2 превысила 2000 ч. Энергия активации, характеризующая температурное ускорение деградационного процесса, оценена величиной ~0,6 эВ. Непрерывный гетеролазер на основе зарощенной мезаполосковой структуры на подложке p-типа, работающий на длине волны 1,25 мкм, прошел ресурсные испытания при комнатной температуре в открытой атмосфере в течение 6000 ч без существенного изменения порогового тока.

Полный текст: PDF файл (549 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:9, 1201–1202

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Rz, 73.40.Lq
Поступила в редакцию: 02.03.1981

Образец цитирования: В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин, “Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987 [Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe8289
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i9/p1985

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Б. И. Махсудов, Квантовая электроника, 42:8 (2012), 745–746  mathnet  adsnasa  elib; Quantum Electron., 42:8 (2012), 745–746  crossref  isi
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:87
    Полный текст:78
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022