RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 4, страницы 834–835 (Mi qe8600)  

Активные среды, резонаторы

Влияние поля генерации на поглощение излучения накачки в трехуровневой системе

В. Ю. Баранов, Д. Д. Малюта, А. П. Стрельцов, С. В. Хоменко

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва

Аннотация: Для импульсного CF4-лазера наблюдалось уменьшение поглощения излучения накачки под действием поля генерации. Эффект обусловлен двухфотонными процессами и проявляется при малых отстройках частот излучений от резонанса. Результаты расчета, проведенного на основе стационарной трехуровневой модели, хорошо согласуются с экспериментом.

Полный текст: PDF файл (371 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:4, 523–525

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826
PACS: 42.55.Ks, 42.60.Da, 33.80.Wz, 33.80.Be
Поступила в редакцию: 10.07.1986

Образец цитирования: В. Ю. Баранов, Д. Д. Малюта, А. П. Стрельцов, С. В. Хоменко, “Влияние поля генерации на поглощение излучения накачки в трехуровневой системе”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 834–835 [Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 523–525]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe8600
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v14/i4/p834

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:71
    Полный текст:42
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020