RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 11, страницы 2493–2500 (Mi qe8642)  

Характеристики излучения лазерного экрана из CdS при 300 K

В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследований зависимости порога, мощности и спектра генерации от толщины кристалла, коэффициентов отражения зеркал резонатора и скорости сканирования электронного пучка. Рассмотрены причины явления катастрофической деградации лазерных экранов при 300 K. Проведены оценки максимальной мощности и оптимального диаметра электронного пучка при работе лазерного экрана из CdS в телевизионном растре при 300 K.

Полный текст: PDF файл (1598 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:11, 1522–1526

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.35
PACS: 42.55.Px, 42.60.Kg
Поступила в редакцию: 18.03.1981

Образец цитирования: В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников, “Характеристики излучения лазерного экрана из CdS при 300 K”, Квантовая электроника, 8:11 (1981), 2493–2500 [Sov J Quantum Electron, 11:11 (1981), 1522–1526]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe8642
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v8/i11/p2493

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:103
    Полный текст:57
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020