RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 2, страницы 363–364 (Mi qe8760)  

Краткие сообщения

Связанные состояния атомов в резонансном световом поле

H. И. Жуковаab, А. П. Казанцевab, В. П. Соколовab

a Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау АН СССР, Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассматривается потенциал взаимодействия двух одинаковых атомов, находящихся в резонансном световом поле на расстоянии, меньшем длины волны. Показано, что в некоторых случаях взаимодействие имеет вид потенциальной ямы, параметры которой зависят от внешнего поля. В сильном поле число связанных состояний ~102, в слабом – ~10.

Полный текст: PDF файл (336 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:2, 213–214

Тип публикации: Статья
УДК: 539.186
PACS: 32.80.-t
Поступила в редакцию: 11.05.1978

Образец цитирования: H. И. Жукова, А. П. Казанцев, В. П. Соколов, “Связанные состояния атомов в резонансном световом поле”, Квантовая электроника, 6:2 (1979), 363–364 [Sov J Quantum Electron, 9:2 (1979), 213–214]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe8760
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v6/i2/p363

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:79
    Полный текст:43
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019