 |
|
|
|
|
|
Применение лазеров и прочее О неоднородном уширении линии излучения в полупроводниковых лазерах О. В. Богданкевич, В. О. Давыдов, М. М. Зверев, Ю. А. Кудеяров, В. Н. Файфер Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, Москва Аннотация: Предлагается феноменологическая модель рекомбинационного процесса в полупроводниковых лазерах, работающих на переходе электрона из зоны проводимости на мелкий примесный уровень вблизи валентной зоны. Показано, что функция распределения электронов на этом уровне в ряде случаев может быть неквазиравновесной, а линия излучения в связи с этим неоднородно уширенной.  Полный текст:
PDF файл (485 kB)
Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:5,  Реферативные базы данных: 
Тип публикации: Статья УДК: 621.373.826.038.825.4 PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.70.Hj, 42.70.Nq Поступила в редакцию: 31.10.1986 Образец цитирования: О. В. Богданкевич, В. О. Давыдов, М. М. Зверев, Ю. А. Кудеяров, В. Н. Файфер, “О неоднородном уширении линии излучения в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 14:5 (1987), Образцы ссылок на эту страницу:
Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Обратная связь: |
 Пользовательское соглашение
|
Регистрация |
Логотипы |
|