RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 10, страницы 2147–2154 (Mi qe9512)  

Кинетика бесстолкновительной диссоциации N2F4 в поле мощного ИК излучения

Н. Н. Акинфиев, А. Н. Ораевский, А. В. Панкратов, С. Е. Панкратов, В. П. Пименов, А. Н. Скачков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СCCP, Москва

Аннотация: С помощью системы оперативной диагностики исследована кинетика диссоциации N2F4→2 NF2 в поле мощного импульсного CO2-лазера. Показано, что в диапазоне давлений N2F4 3–15 мм рт. ст. и плотностях падающей энергии 0,2–3 Дж/см2 столкновения не оказывают заметного влияния на процесс возбуждения и диссоциации, скорость которой определяется скоростью радиационной активации молекул. По результатам эксперимента оценено время внутримолекулярной релаксации N2F4ννi < 15 нс). Эксперимент удовлетворительно интерпретируется в предположении, что поведение молекулы N2F4 в поле характеризуется только зависимостью сечения индуцированного перехода от энергии молекулы σ(E) и энергией диссоциации, соответствующей энергии разрыва слабейшей связи N–N. На основании экспериментальных данных восстановлена эволюция функции распределения молекул по энергиям во времени и определен характер зависимости σ(E): σ ~Ek(1 < k < 2).

Полный текст: PDF файл (1317 kB)

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:10, 1258–1262

Тип публикации: Статья
УДК: 541.127:54.141.7:546.171.55
PACS: 82.50.Et
Поступила в редакцию: 05.02.1979

Образец цитирования: Н. Н. Акинфиев, А. Н. Ораевский, А. В. Панкратов, С. Е. Панкратов, В. П. Пименов, А. Н. Скачков, “Кинетика бесстолкновительной диссоциации N2F4 в поле мощного ИК излучения”, Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2147–2154 [Sov J Quantum Electron, 9:10 (1979), 1258–1262]

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/qe9512
  • http://mi.mathnet.ru/rus/qe/v6/i10/p2147

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Квантовая электроника Quantum Electronics
    Просмотров:
    Эта страница:92
    Полный текст:46
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021