RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Сиб. журн. индустр. матем.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Сиб. журн. индустр. матем., 2003, том 6, номер 2, страницы 31–36 (Mi sjim445)  

Математическое моделирование гетерогенного переноса заряда в твердотельных наноструктурах под действием резонансного излучения

В. П. Голубятниковa, Б. П. Кашниковb, Г. И. Смирнов

a Институт математики им. С. Л. Соболева СО РАН
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН

Аннотация: Построена математическая модель безактивационной перезарядки между атомами в поликристаллических пленках или неоднородных наноструктурах типа полупроводник–диэлектрик, взаимодействующими с резонансным излучением и металлической поверхностью контакта. Определена вероятность процесса резонансной приконтактной фотоионизации в неоднородных твердотельных наноструктурах, что позволяет использовать данный процесс в нанотехнологиях для измерений и передачи информации.

Полный текст: PDF файл (207 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Реферативные базы данных:

УДК: 535.338
Статья поступила: 28.03.2003

Образец цитирования: В. П. Голубятников, Б. П. Кашников, Г. И. Смирнов, “Математическое моделирование гетерогенного переноса заряда в твердотельных наноструктурах под действием резонансного излучения”, Сиб. журн. индустр. матем., 6:2 (2003), 31–36

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GolKasSmi03}
\by В.~П.~Голубятников, Б.~П.~Кашников, Г.~И.~Смирнов
\paper Математическое моделирование гетерогенного переноса заряда в~твердотельных наноструктурах под действием резонансного излучения
\jour Сиб. журн. индустр. матем.
\yr 2003
\vol 6
\issue 2
\pages 31--36
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/sjim445}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:1028.78503}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/sjim445
  • http://mi.mathnet.ru/rus/sjim/v6/i2/p31

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Сибирский журнал индустриальной математики
    Просмотров:
    Эта страница:154
    Полный текст:55
    Литература:14

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017