RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Подписка

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Сиб. журн. вычисл. матем.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Сиб. журн. вычисл. матем., 2007, том 10, номер 4, страницы 401–416 (Mi sjvm96)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Математическое моделирование процессов формирования наноструктур легирующих примесей в базовом материале (нанотехнологии для микроэлектроники)

Г. А. Тарнавскийa, А. В. Алиевa, А. Г. Тарнавскийb

a Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН
b Новосибирский госуниверситет

Аннотация: Проведено математическое моделирование физико-химических процессов, лежащих в основе одного из сегментов технологического цикла создания новых полупроводниковых материалов для наноэлектроники. Этот этап производства – отжиг подложки базового материала (Si, Ti или Ge) в кислороде – предназначен для формирования особых наноструктур донорных (P, As или Sb) и акцепторных (B, Ga или Al) легирующих примесей, равномерно распределенных в базовом материале до начала отжига. В работе для одного из вариантов применяющихся конфигураций поверхности подложки (“траншея”), частично закрытой защитными масками, предохраняющими участки поверхности от воздействия окислителя, проведено исследование динамики роста пленки окисла и изучение перераспределения примесей вследствие физико-химического процесса сегрегации на фронте волны “окисел/материал”. Получены и проанализированы распределения концентраций примесей, с образованием различных доменов, в том числе специфических наноструктур – узколокализованных зон (размерами 40–60 нм) повышенной концентрации донорных и акцепторных примесей. Подобные наноструктуры донорных и акцепторных примесей в подложке обеспечивают требуемые полупроводниковые электрофизические свойства материала.

Ключевые слова: нанотехнологии, конструирование новых материалов, математическое моделирование, окисление кристаллического кремния, сегрегация легирующих примесей.

Полный текст: PDF файл (483 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл
УДК: 519.2+541.1
Статья поступила: 10.04.2007

Образец цитирования: Г. А. Тарнавский, А. В. Алиев, А. Г. Тарнавский, “Математическое моделирование процессов формирования наноструктур легирующих примесей в базовом материале (нанотехнологии для микроэлектроники)”, Сиб. журн. вычисл. матем., 10:4 (2007), 401–416

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarAliTar07}
\by Г.~А.~Тарнавский, А.~В.~Алиев, А.~Г.~Тарнавский
\paper Математическое моделирование процессов формирования наноструктур легирующих примесей в~базовом материале (нанотехнологии для микроэлектроники)
\jour Сиб. журн. вычисл. матем.
\yr 2007
\vol 10
\issue 4
\pages 401--416
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/sjvm96}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/sjvm96
  • http://mi.mathnet.ru/rus/sjvm/v10/i4/p401

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Тарнавский Г.А., Анищик В.С., Тарнавский А.Г., “Влияние защитных масок при отжиге кремниевой пластины на формирование наноразмерных гетероструктур легирующих примесей фосфора”, Нано- и микросистемная техника, 2008, № 3, 57–65  elib
    2. Тарнавский Г.А., “Дизайн полупроводниковых материалов для электроники. Сегмент технологического процесса: отжиг базовой подложки и формирование наноструктур легирующих примесей”, Инженерно-физический журнал, 81:5 (2008), 994–1005  elib
  • Сибирский журнал вычислительной математики
    Просмотров:
    Эта страница:514
    Полный текст:163
    Литература:39
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020