RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Журнал СВМО:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Журнал СВМО, 2015, том 17, номер 4, страницы 78–86 (Mi svmo569)  

Математическое моделирование и информатика

Численное моделирование вероятности включения микроплазмы c участием глубоких центров в $p$$n$–переходе

В. К. Ионычев, Р. Р. Кадеркаев, С. М. Мурюмин, П. А. Шаманаев

Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева

Аннотация: Моделируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в $p$$n$–переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в фосфидгаллиевых $p$$n$–переходах в случае эмиссии носителей заряда через простой двухзарядный генерационно-рекомбинационный центр и с многозарядной ловушки. Показано, что изменение зарядового состояния глубоких центров частичным снижением обратного напряжения на $p$$n$–переходе может приводить к особенностям распределения статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности.

Ключевые слова: статистическая задержка пробоя, глубокие центры, включение микроплазмы, эмиссия носителей заряда, зарядовое состояние центра

Список литературы: PDF файл   HTML файл

Реферативные базы данных:
УДК: 621.382.2
Поступила в редакцию: 11.12.2015

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/svmo569

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Журнал Средневолжского математического общества
    Просмотров:
    Эта страница:16
    Литература:5
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020