RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Лицензионный договор
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТМФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТМФ, 2018, том 194, номер 1, страницы 151–167 (Mi tmf9393)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Статическая зарядовая восприимчивость в $t$-$J$-$V$ модели

Дан Тунг Нгун, Н. М. Плакида

Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия

Аннотация: Рассматривается статическая зарядовая восприимчивость и корреляционная функции плотности зарядов в двумерной t-J-V модели на основе метода уравнений движения для функции релаксации от операторов Хаббарда. Получена зависимость восприимчивости и корреляционной функции от концентрации дырок и температуры. Показано, что при достаточно сильном межузельном кулоновском в системе возможно появление волн зарядовой плотности.

Ключевые слова: сильные электронные корреляции, зарядовая восприимчивость, высокотемпературная сверхпроводимость, t-J-V модель.
Автор для корреспонденции

DOI: https://doi.org/10.4213/tmf9393

Полный текст: PDF файл (582 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Theoretical and Mathematical Physics, 2018, 194:1, 127–141

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступило в редакцию: 28.04.2017

Образец цитирования: Дан Тунг Нгун, Н. М. Плакида, “Статическая зарядовая восприимчивость в $t$-$J$-$V$ модели”, ТМФ, 194:1 (2018), 151–167; Theoret. and Math. Phys., 194:1 (2018), 127–141

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NguPla18}
\by Дан~Тунг~Нгун, Н.~М.~Плакида
\paper Статическая зарядовая~восприимчивость в $t$-$J$-$V$ модели
\jour ТМФ
\yr 2018
\vol 194
\issue 1
\pages 151--167
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tmf9393}
\crossref{https://doi.org/10.4213/tmf9393}
\adsnasa{http://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2018TMP...194..127N}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=32428146}
\transl
\jour Theoret. and Math. Phys.
\yr 2018
\vol 194
\issue 1
\pages 127--141
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0040577918010099}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000426363500008}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85042723180}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tmf9393
  • https://doi.org/10.4213/tmf9393
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tmf/v194/i1/p151

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Nguen Dan Tung Plakida N., “Charge Dynamics in Strongly-Correlated Electronic Systems”, Int. J. Mod. Phys. B, 32:29 (2018), 1850327  crossref  isi
  • Теоретическая и математическая физика Theoretical and Mathematical Physics
    Просмотров:
    Эта страница:240
    Литература:29
    Первая стр.:16
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020