RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Теория вероятн. и ее примен.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Теория вероятн. и ее примен., 1973, том 18, выпуск 1, страницы 203–206 (Mi tvp2701)  

Краткие сообщения

Об одном свойстве «процесса ожидания»

В. А. Лабковский

г. Москва

Полный текст: PDF файл (238 kB)

Англоязычная версия:
Theory of Probability and its Applications, 1973, 18:1, 196–198

Реферативные базы данных:

Поступила в редакцию: 14.03.1972

Образец цитирования: В. А. Лабковский, “Об одном свойстве «процесса ожидания»”, Теория вероятн. и ее примен., 18:1 (1973), 203–206; Theory Probab. Appl., 18:1 (1973), 196–198

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Lab73}
\by В.~А.~Лабковский
\paper Об одном свойстве <<процесса ожидания>>
\jour Теория вероятн. и ее примен.
\yr 1973
\vol 18
\issue 1
\pages 203--206
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvp2701}
\mathscinet{http://www.ams.org/mathscinet-getitem?mr=324791}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:0282.60067}
\transl
\jour Theory Probab. Appl.
\yr 1973
\vol 18
\issue 1
\pages 196--198
\crossref{https://doi.org/10.1137/1118021}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvp2701
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvp/v18/i1/p203

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    Исправления
  • Теория вероятностей и ее применения Theory of Probability and its Applications
    Просмотров:
    Эта страница:91
    Полный текст:52
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020