Теория вероятностей и ее применения
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Теория вероятн. и ее примен.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Теория вероятн. и ее примен., 2020, том 65, выпуск 3, страницы 460–478 (Mi tvp5307)  

О моментах достижения высоких уровней случайным блужданием в случайной среде

В. И. Афанасьев

Математический институт им. В. А. Стеклова Российской академии наук, Москва, Россия

Аннотация: Пусть задана последовательность независимых одинаково распределенных случайных векторов $(p_i,q_i)$, $i\in \mathbf{Z}$, причем п.н. $p_i,q_i>0$ и $p_i+q_i$ $=1$ при $i\in \mathbf{Z}$. Рассматривается случайное блуждание в случайной среде $\{(p_i,q_i),  i\in \mathbf{Z}\}$. Предполагается, что $\mathbf{E}\ln (p_0/q_0)=0$ и $0<\mathbf{E}\ln^{2}(q_0/p_0)<+\infty$. Изучаются моменты $T_{n_1},…,T_{n_m}$ достижения возрастающих уровней $n_1,…,n_m$, имеющих порядок $n$. Установлено, что несущее вероятностное пространство можно разбить на такие случайные события (зависящие от $n$), что их вероятности при больших $n$ близки к положительным числам и на каждом из этих событий множество моментов $T_{n_1},…,T_{n_m}$ разбивается на последовательные группы, причем в каждой из групп их элементы имеют одинаковый порядок, а все элементы каждой группы пренебрежимо малы по сравнению со всеми элементами следующей группы.

Ключевые слова: случайное блуждание в случайной среде, ветвящийся процесс в случайной среде с иммиграцией, предельные теоремы.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций PRAS-18-01
Работа подготовлена при поддержке программы Президиума РАН № 01 “Фундаментальная математика и ее приложения” (грант PRAS-18-01).


DOI: https://doi.org/10.4213/tvp5307

Полный текст: PDF файл (442 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Theory of Probability and its Applications, 2020, 65:3, 359–374

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 13.03.2019
Исправленный вариант: 12.11.2019
Принята в печать:20.11.2019

Образец цитирования: В. И. Афанасьев, “О моментах достижения высоких уровней случайным блужданием в случайной среде”, Теория вероятн. и ее примен., 65:3 (2020), 460–478; Theory Probab. Appl., 65:3 (2020), 359–374

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Afa20}
\by В.~И.~Афанасьев
\paper О моментах достижения высоких уровней случайным блужданием в~случайной среде
\jour Теория вероятн. и ее примен.
\yr 2020
\vol 65
\issue 3
\pages 460--478
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvp5307}
\crossref{https://doi.org/10.4213/tvp5307}
\mathscinet{http://www.ams.org/mathscinet-getitem?mr=3699318}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=45186591}
\transl
\jour Theory Probab. Appl.
\yr 2020
\vol 65
\issue 3
\pages 359--374
\crossref{https://doi.org/10.1137/S0040585X97T990009}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000587381700002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85096068024}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvp5307
  • https://doi.org/10.4213/tvp5307
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvp/v65/i3/p460

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Теория вероятностей и ее применения Theory of Probability and its Applications
    Просмотров:
    Эта страница:94
    Литература:7
    Первая стр.:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021