|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Краткие сообщения
Плотность расплавленного индия при температурах до 600 K
Б. Б. Алчагировa, А. Г. Мозговойb, А. М. Хацуковa a Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х. М. Бербекова, г. Нальчик
b Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
Полный текст:
PDF файл (604 kB)
Англоязычная версия:
High Temperature, 2004, 42:6, 1003–1005
Тип публикации:
Статья
УДК:
532.14:546.82 Поступила в редакцию: 17.12.2003
Образец цитирования:
Б. Б. Алчагиров, А. Г. Мозговой, А. М. Хацуков, “Плотность расплавленного индия при температурах до 600 K”, ТВТ, 42:6 (2004), 985–988; High Temperature, 42:6 (2004), 1003–1005
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlcMozKha04}
\by Б.~Б.~Алчагиров, А.~Г.~Мозговой, А.~М.~Хацуков
\paper Плотность расплавленного индия при температурах до 600~K
\jour ТВТ
\yr 2004
\vol 42
\issue 6
\pages 985--988
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt1619}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2004
\vol 42
\issue 6
\pages 1003--1005
\crossref{https://doi.org/10.1007/s10740-005-0024-5}
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/tvt1619 http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v42/i6/p985
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
-
Samajdar D.P., Dhar S., “Transport of Nitrogen Atoms During the Liquid Phase Epitaxial Growth of Ingaasn”, Physics of Semiconductor Devices, Environ. Sci. Eng., Environmental Science and Engineering-Environmental Engineering, eds. Jain V., Verma A., Springer Int Publishing Ag, 2014, 783–785
-
Shamberger P.J., Mizuno Ya., Talapatra A.A., “Mixing and Electronic Entropy Contributions to Thermal Energy Storage in Low Melting Point Alloys”, J. Appl. Phys., 122:2 (2017), 025105
|
Просмотров: |
Эта страница: | 62 | Полный текст: | 46 |
|