RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 2002, том 40, выпуск 3, страницы 405–415 (Mi tvt1799)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Теплофизические свойства веществ

Термическое расширение и некоторые характеристики прочности межатомной связи фосфидов галлия и индия

В. М. Глазов, А. С. Пашинкин, Л. М. Павлова

Московский институт электронной техники

Аннотация: Термометрическим методом для интервала температур $1331$$1426$ К определен коэффициент термического расширения (КТР) расплава $\mathrm{InP}$. Проведены статистическая обработка и термодинамический анализ с привлечением данных по теплоемкости для КТР твердых фосфидов галлия и индия, которые позволили рекомендовать наиболее достоверные значения КТР этих соединений в широком температурном интервале. На основе этих данных по КТР рассчитаны характеристические температуры Дебая и среднеквадратичные смещения атомов из положения равновесия, которые сопоставлены с соответствующими значениями, полученными другими методами.

Полный текст: PDF файл (2176 kB)

Англоязычная версия:
High Temperature, 2002, 40:3, 369–378

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Поступила в редакцию: 10.07.2001

Образец цитирования: В. М. Глазов, А. С. Пашинкин, Л. М. Павлова, “Термическое расширение и некоторые характеристики прочности межатомной связи фосфидов галлия и индия”, ТВТ, 40:3 (2002), 405–415; High Temperature, 40:3 (2002), 369–378

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GlaPasPav02}
\by В.~М.~Глазов, А.~С.~Пашинкин, Л.~М.~Павлова
\paper Термическое расширение и некоторые характеристики прочности межатомной связи фосфидов галлия и индия
\jour ТВТ
\yr 2002
\vol 40
\issue 3
\pages 405--415
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt1799}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2002
\vol 40
\issue 3
\pages 369--378
\crossref{https://doi.org/10.1023/A:1016059923422}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000176479800007}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt1799
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v40/i3/p405

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Junesand C., Gau M.-H., Sun Ya.-T., Lourdudoss S., Lo I., Jimenez J., Aitor Postigo P., Morales F.M., Hernandez J., Molina S., Abdessamad A., Pozina G., Hultman L., Pirouz P., “Defect Reduction in Heteroepitaxial Inp on Si By Epitaxial Lateral Overgrowth”, Mater. Express, 4:1 (2014), 41–53  crossref  isi  elib
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:86
    Полный текст:56
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020