RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 1997, том 35, выпуск 1, страницы 122–128 (Mi tvt2454)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Методы экспериментальных исследований и измерений

Высокотемпературная модель абсолютно черного тела

А. В. Костановский, Л. Б. Нефедкина, М. Е. Костановская

Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва

Аннотация: Предложена конструкция модели абсолютно черного тела, с рабочей температурой до $3700$ K (патент № 1124682, приоритет от 01.06.82 г.). Реализован метод прямого электронагрева излучателя, представляющего собой цилиндр с двумя симметричными излучающими полостями с плоским дном. Рассчитаны температурные поля излучателя на основе решения нестационарного двумерного уравнения теплопроводности с источниками тепла. Материал излучателя – графит. Эффективная излучательная способность модели абсолютно черного тела на длине волны $0.65$ мкм в области температур $1500$$3700$ K не ниже $0.99$.

Полный текст: PDF файл (3127 kB)

Англоязычная версия:
High Temperature, 1997, 35:1, 119–124

Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 535.231.2:546.261
Поступила в редакцию: 30.11.1995

Образец цитирования: А. В. Костановский, Л. Б. Нефедкина, М. Е. Костановская, “Высокотемпературная модель абсолютно черного тела”, ТВТ, 35:1 (1997), 122–128; High Temperature, 35:1 (1997), 119–124

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KosNefKos97}
\by А.~В.~Костановский, Л.~Б.~Нефедкина, М.~Е.~Костановская
\paper Высокотемпературная модель абсолютно черного тела
\jour ТВТ
\yr 1997
\vol 35
\issue 1
\pages 122--128
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt2454}
\transl
\jour High Temperature
\yr 1997
\vol 35
\issue 1
\pages 119--124
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=A1997WG66500019}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt2454
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v35/i1/p122

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Э. И. Асиновский, А. В. Кириллин, А. В. Костановский, УФН, 172:8 (2002), 931–944  mathnet  crossref; Phys. Usp., 45:8 (2002), 869–882  crossref  isi
    2. А. В. Костановский, А. А. Пронкин, А. Н. Кириченко, “Формирование тонкой пленки, содержащей $\alpha$-карбин, при магнетронном распылении графитовой мишени и воздействии внешнего источника фотоактивации”, ТВТ, 51:5 (2013), 787–790  mathnet  crossref  elib; A. V. Kostanovskii, A. A. Pronkin, A. N. Kirichenko, “Formation of a thin film containing $\alpha$-carbine in the magnetron sputtering of graphite targets and the impact of an external photoactivation source”, High Temperature, 51:5 (2013), 712–715  crossref  isi  elib
    3. Kostanovskiy A.V., Pronkin A.A., Kostanovskiy I.A., “Formation of a Diamond-Like Carbon Film By Magnetron Sputtering of a Graphite Target Under Radiation Flux From a Black-Body Model”, Tech. Phys. Lett., 40:4 (2014), 293–295  crossref  isi  elib
    4. O. V. Chefonov, A. V. Ovchinnikov, I. V. Il'ina, D. S. Sitnikov, “Photoluminescence of silicon nanoparticles under the action of infrared femtosecond laser pulses”, ТВТ, 53:5 (2015), 638–642  mathnet; High Temperature, 53:5 (2015), 638–642  crossref  isi  elib
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:128
    Полный текст:82
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020