RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 2015, том 53, выпуск 3, страницы 337–346 (Mi tvt331)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Исследование плазмы

Диффузионно-ионизационный механизм поперечного распространения таунсендовского и тлеющего разрядов и его влияние на устойчивость и природу нормальной плотности тока

Н. Ю. Наумов

Институт физических проблем РАН, г. Москва

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследован диффузионно-ионизационный механизм поперечного распространения короткого таунсендовского разряда вблизи минимума кривой Пашена. Обнаружено, что влияние продольной диффузии электронов вызывает значительное усиление поперечного распространения разряда. При различных электрических полях $(E/p \approx 100$$220$ В см$^{–1}$ Тор$^{–1})$ измерен эффективный коэффициент диффузионно-ионизационного распространения разряда в неоне, который может в несколько раз превышать коэффициент амбиполярной диффузии. Теоретически и экспериментально определена граница поперечной неустойчивости таунсендовского разряда в неоне. Дана оценка вклада диффузии в граничное условие, определяющее нормальную плотность тока.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0040364415020192

Полный текст: PDF файл (364 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
High Temperature, 2015, 53:3, 319–328

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 537.525
Поступила в редакцию: 27.02.2014
Принята в печать:05.11.2014

Образец цитирования: Н. Ю. Наумов, “Диффузионно-ионизационный механизм поперечного распространения таунсендовского и тлеющего разрядов и его влияние на устойчивость и природу нормальной плотности тока”, ТВТ, 53:3 (2015), 337–346; High Temperature, 53:3 (2015), 319–328

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Nau15}
\by Н.~Ю.~Наумов
\paper Диффузионно-ионизационный механизм поперечного распространения таунсендовского и тлеющего разрядов и его влияние на устойчивость и природу нормальной плотности тока
\jour ТВТ
\yr 2015
\vol 53
\issue 3
\pages 337--346
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt331}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0040364415020192}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=23335363}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2015
\vol 53
\issue 3
\pages 319--328
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X15020194}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000356368500002}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=23988434}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84935827727}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt331
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v53/i3/p337

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. В. С. Войтешонок, А. И. Головин, Е. К. Егорова, Б. Н. Ломакин, А. В. Туркин, А. И. Шлойдо, “Экспериментальное исследование эффективности высоковольтного тлеющего разряда как источника пучка убегающих электронов”, ТВТ, 55:5 (2017), 685–691  mathnet  crossref  elib; V. S. Voiteshonok, A. I. Golovin, E. K. Egorova, B. N. Lomakin, A. V. Turkin, A. I. Shloydo, “Experimental investigation of high-voltage glow discharge efficiency as a source of beams of run-away electrons”, High Temperature, 55:5 (2017), 665–671  crossref  isi
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:277
    Полный текст:40
    Литература:45
    Первая стр.:9
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020