RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 1965, том 3, выпуск 3, страницы 487–489 (Mi tvt4142)  

Краткие сообщения

Электронографическое исследование строения молекул $\mathrm{Ga}_2\mathrm{O}$ и $\mathrm{In}_2\mathrm{O}$

Н. Г. Рамбиди, С. М. Толмачев

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Полный текст: PDF файл (185 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 539.27:546.681+546.682
Поступила в редакцию: 06.10.1964

Образец цитирования: Н. Г. Рамбиди, С. М. Толмачев, “Электронографическое исследование строения молекул $\mathrm{Ga}_2\mathrm{O}$ и $\mathrm{In}_2\mathrm{O}$”, ТВТ, 3:3 (1965), 487–489

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RamTol65}
\by Н.~Г.~Рамбиди, С.~М.~Толмачев
\paper Электронографическое исследование строения молекул $\mathrm{Ga}_2\mathrm{O}$ и $\mathrm{In}_2\mathrm{O}$
\jour ТВТ
\yr 1965
\vol 3
\issue 3
\pages 487--489
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt4142}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt4142
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v3/i3/p487

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:53
    Полный текст:36
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020