RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 1986, том 24, выпуск 3, страница 621 (Mi tvt5022)  

Аннотации статей, депонированных в ВИНИТИ

Особенности неоднородной локализации джоулевой диссипации энергии в проводящих средах с цилиндрическими включениями в магнитном поле (№ 1503-86 Деп. от 5.III.1986)

В. Ф. Резцов, Г. И. Снарская

Институт электродинамики АН УССР, г. Киев

Полный текст: PDF файл (92 kB)
Тип публикации: Прочие публикации
УДК: 537.311.33
Поступила в редакцию: 12.04.1985

Образец цитирования: В. Ф. Резцов, Г. И. Снарская, “Особенности неоднородной локализации джоулевой диссипации энергии в проводящих средах с цилиндрическими включениями в магнитном поле (№ 1503-86 Деп. от 5.III.1986)”, ТВТ, 24:3 (1986), 621

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezSna86}
\by В.~Ф.~Резцов, Г.~И.~Снарская
\paper Особенности неоднородной локализации джоулевой диссипации энергии в~проводящих средах с~цилиндрическими включениями в~магнитном поле (\No~1503-86 Деп. от 5.III.1986)
\jour ТВТ
\yr 1986
\vol 24
\issue 3
\pages 621
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt5022}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt5022
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v24/i3/p621

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:59
    Полный текст:65
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020