RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 2015, том 53, выпуск 1, страницы 11–17 (Mi tvt565)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Исследование плазмы

Встречные лидеры в системах с диэлектрическим барьером

С. Ю. Красильников, А. В. Самусенко, Ю. К. Стишков

Научно-образовательный центр “Электрофизика” Санкт-Петербургского государственного университета

Аннотация: Рассмотрены особенности пробоя воздушных промежутков с твердыми диэлектрическими барьерами большого диаметра при импульсной подаче напряжения. Обычно для пробоя промежутков длины $5$$500$ см необходимо предварительное замыкание стримерами промежутка, однако в рассматриваемых системах замыкание затруднено высокой длиной пути по воздуху в обход барьера. Результаты исследования позволяют предположить, что при большом диаметре барьера стримерно-лидерный переход происходит с обеих сторон барьера, затем пара лидеров распространяется вдоль барьера с разных его сторон вплоть до замыкания на краю барьера. Возможность стримерно-лидерного перехода при умеренных напряжениях $(50$$400$ кВ$)$ может быть обеспечена значительной величиной заряда, переносимого через стримерные каналы на поверхность диэлектрического барьера. Накопление значительного заряда на поверхности барьера оказывается возможным благодаря образованию пары пятен разнополярного поверхностного заряда – своеобразной электрической емкости.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0040364415010147

Полный текст: PDF файл (606 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
High Temperature, 2015, 53:1, 9–15

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 537.523.3, 537.523.4
Поступила в редакцию: 08.10.2013

Образец цитирования: С. Ю. Красильников, А. В. Самусенко, Ю. К. Стишков, “Встречные лидеры в системах с диэлектрическим барьером”, ТВТ, 53:1 (2015), 11–17; High Temperature, 53:1 (2015), 9–15

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KraSamSti15}
\by С.~Ю.~Красильников, А.~В.~Самусенко, Ю.~К.~Стишков
\paper Встречные лидеры в системах с диэлектрическим барьером
\jour ТВТ
\yr 2015
\vol 53
\issue 1
\pages 11--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt565}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0040364415010147}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=22840991}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2015
\vol 53
\issue 1
\pages 9--15
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X15010149}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000350357800002}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=24010637}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84923784874}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt565
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v53/i1/p11

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. К. А. Прилепа, А. В. Самусенко, Ю. К. Стишков, “Методы расчета пробивного напряжения воздушных промежутков в слабо- и сильнонеоднородном поле”, ТВТ, 54:5 (2016), 693–700  mathnet  crossref  elib; K. A. Prilepa, A. V. Samusenko, Yu. K. Stishkov, “Methods of calculating the air-gap breakdown voltage in weakly and strongly nonuniform fields”, High Temperature, 54:5 (2016), 655–661  crossref  isi
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:169
    Полный текст:49
    Литература:40
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020