RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 1967, том 5, выпуск 4, страницы 676–683 (Mi tvt6126)  

Схемы и конструкции высокотемпературных аппаратов и установок

Расчет распределения потенциала вдоль канала МГД-генератора методом схем замещения

Л. Ю. Устименко

Научно-исследовательский электротехнический институт

Аннотация: Предложен метод расчета распределения потенциала вдоль канала МГД-генератора, использующего для своей работы эффект Холла. Приведена эквивалентная схема из дискретных элементов. Проведенные численные расчеты показывают качественное совпадение с результатами эксперимента.

Полный текст: PDF файл (528 kB)
УДК: 621.313.12:5384
Поступила в редакцию: 15.05.1965

Образец цитирования: Л. Ю. Устименко, “Расчет распределения потенциала вдоль канала МГД-генератора методом схем замещения”, ТВТ, 5:4 (1967), 676–683

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ust67}
\by Л.~Ю.~Устименко
\paper Расчет распределения потенциала вдоль канала МГД-генератора методом схем замещения
\jour ТВТ
\yr 1967
\vol 5
\issue 4
\pages 676--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt6126}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt6126
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v5/i4/p676

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:101
    Полный текст:51
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020