RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 2015, том 53, выпуск 6, страницы 824–832 (Mi tvt7996)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Исследование плазмы

Электронные коэффициенты переноса и электрический пробой в конденсированном гелии

А. А. Белевцев

Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва

Аннотация: Решением кинетического уравнения Больцмана найден энергетический спектр свободных электронов в конденсированном гелии в сильных электрических полях в широком диапазоне давлений и температур. Учитываются все эффекты, влияющие на кинетику электронов в плотных средах. Получены скорости размножения электронов и основные электронные коэффициенты переноса в конденсированном гелии при атмосферном и повышенном давлениях. По стримерной теории пробоя рассчитаны предельные пробивные характеристики конденсированного гелия. Результаты расчета сравниваются с имеющимися экспериментальными данными. Применительно к жидкому гелию впервые дано решение фундаментальной проблемы существования внутренней электрической прочности жидкости, определяемой исключительно электронными процессами в ней самой, а не в газовых включениях, возникающих на предпробойной стадии. Сопоставление с экспериментальными данными позволяет также установить, каким образом длительность приложенного импульса напряжения влияет на электрическую прочность жидкого гелия.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0040364415060046

Полный текст: PDF файл (286 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
High Temperature, 2015, 53:6, 779–786

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 537.523
Поступила в редакцию: 09.10.2014
Принята в печать:10.03.2015

Образец цитирования: А. А. Белевцев, “Электронные коэффициенты переноса и электрический пробой в конденсированном гелии”, ТВТ, 53:6 (2015), 824–832; High Temperature, 53:6 (2015), 779–786

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bel15}
\by А.~А.~Белевцев
\paper Электронные коэффициенты переноса и электрический пробой в конденсированном гелии
\jour ТВТ
\yr 2015
\vol 53
\issue 6
\pages 824--832
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt7996}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0040364415060046}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=24730583}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2015
\vol 53
\issue 6
\pages 779--786
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X15060048}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000366636600002}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84949963493}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt7996
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v53/i6/p824

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. A. B. Petrin, “Thermionic field emission of electrons from the paraboloidal metal micropoint”, J. Exp. Theor. Phys., 124:6 (2017), 854–859  crossref  isi  scopus
    2. А. Б. Петрин, “Метод расчета электрического поля вблизи параболоидального металлического острия над проводящей плоскостью”, ТВТ, 56:2 (2018), 163–167  mathnet  crossref  elib; A. B. Petrin, “Method for the calculation of the electric field near a paraboloidal metal tip above a conducting plane”, High Temperature, 56:2 (2018), 157–161  crossref  isi  elib
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:166
    Полный текст:33
    Литература:40
    Первая стр.:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020