RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 2009, том 47, выпуск 4, страницы 516–521 (Mi tvt836)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Исследование плазмы

Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора

Д. Ф. Алферов, Д. В. Евсин, В. П. Иванов

Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина" (ФГУП ВЭИ), г. Москва

Аннотация: Исследована возможность повышения отключающей способности вакуумного промежутка с постоянным аксиально-симметричным магнитным полем посредством шунтирующего резистора с сопротивлением $0.5$$2$ Ом. Исследования проводились при нарастающем во времени токе с амплитудой до $1000$ А. Найдена зависимость тока ограничения от сопротивления шунтирующего резистора и скорости нарастания тока.

Полный текст: PDF файл (500 kB)

Англоязычная версия:
High Temperature, 2009, 47:4, 489–493

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 621.387.35
Поступила в редакцию: 15.04.2008

Образец цитирования: Д. Ф. Алферов, Д. В. Евсин, В. П. Иванов, “Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора”, ТВТ, 47:4 (2009), 516–521; High Temperature, 47:4 (2009), 489–493

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfEvsIva09}
\by Д.~Ф.~Алферов, Д.~В.~Евсин, В.~П.~Иванов
\paper Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора
\jour ТВТ
\yr 2009
\vol 47
\issue 4
\pages 516--521
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt836}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2009
\vol 47
\issue 4
\pages 489--493
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X09040051}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000268784800004}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-68849097137}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt836
  • http://mi.mathnet.ru/rus/tvt/v47/i4/p516

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Abu-Elabbas K., Nossier A., El-Zein A., “Experimental Study on the Effect of Applying a Crossed Electric Field on the Breakdown Behavior of Low Vacuum”, J. Electrost., 70:1 (2012), 174–177  crossref  isi  elib
    2. Liao M. Huang J. Ge G. Duan X. Huang Zh. Zou J., “Vacuum Arc Commutation Characteristics of the Dc Microgrid Hybrid Circuit Breakers”, IEEE Trans. Plasma Sci., 45:8, 2, SI (2017), 2172–2178  crossref  isi  scopus
    3. Liao M. Ge G. Duan X. Huang Zh., “A Novel Post-Arc Current Measuring Equipment Based on Vacuum Arc Commutation and Arc Blow”, Meas. Sci. Technol., 28:7 (2017), 075901  crossref  isi  scopus
    4. Liao M., Ge G., Duan X., Huang Zh., Huang J., Zou J., “Investigation on the Vacuum Arc Commutating Characteristic With Application to Postarc Current Measure”, IEEE Trans. Plasma Sci., 45:2 (2017), 252–258  crossref  isi  scopus
    5. Xian Cheng, Guowei Ge, Minfu Liao, Xiongying Duan, Zhihui Huang, “Research on the vacuum arc commutating characteristic of resistive fault current limiters”, ТВТ, 57:5 (2019), 628–635  mathnet; High Temperature, 57:5 (2019), 628–635  crossref  isi  elib
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:68
    Полный текст:33
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020