RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ТВТ, 1976, том 14, выпуск 4, страницы 846–852 (Mi tvt9485)  

Высокотемпературные аппараты и конструкции

О влиянии различных потерь на характеристики мощных МГД-генераторов

В. А. Битюрин, П. П. Иванов, В. И. Ковбасюк, Г. М. Корягина

Институт высоких температур Академии наук СССР, г. Москва

Аннотация: Обсуждаются особенности течения в МГДГ для МГДЭС открытого цикла первого поколения: развитие пограничных слоев, неоднородность проводимости в сечении канала, эффект Холла в потоке с неоднородной проводимостью, концевой эффект и т. д. Показано, что неоднородность проводимости, несущественно влияя на к.п.д. преобразования, значительно увеличивает необходимую длину канала. Неучет этого обстоятельства в упрощенных методиках расчета МГДГ, принятых в литературе по технико-экономическим оценкам МГДЭС, может внести большую неточность в определение конкурентоспособности МГД-установок по сравнению с другими типами энергоустановок. Для получения приемлемых характеристик МГДЭС необходима тщательная оптимизация режима течения.

Тип публикации: Статья
УДК: 621.313.-12:538.4
Поступила в редакцию: 28.05.1975

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/tvt9485

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Просмотров:
    Эта страница:7
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020