RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 1995, том 165, номер 8, страницы 887–917 (Mi ufn1106)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах

В. Б. Шикинa, Ю. В. Шикинаb

a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Аннотация: Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли–Рида. Модель содержит два акцепторных уровня $E_1$ и $E_2$, а также один донорный $\varepsilon_1$. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости $C_1$ для акцепторного уровня $E_1$. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в $n$ и $p$ состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень $E_1$ оказывается расположенным в окрестности $E_1\simeq 0,1$ эВ над потолком валентной зоны, а емкость $C_1\lesssim0,1$. В случае кремния $E_1\simeq0,4$ эВ, $C_1\lesssim0,1$. Обращает на себя внимание малость емкости $C_1$, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199508b.0887

Полный текст: PDF файл (5125 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/ru/articles/1995/8/b/

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1995, 38:8, 845–875

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 61.72.Lk, 71.55.Cn, 72.80.Cw
Поступила: 1 июля 1995 г.

Образец цитирования: В. Б. Шикин, Ю. В. Шикина, “Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах”, УФН, 165:8 (1995), 887–917; Phys. Usp., 38:8 (1995), 845–875

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShiShi95}
\by В.~Б.~Шикин, Ю.~В.~Шикина
\paper Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах
\jour УФН
\yr 1995
\vol 165
\issue 8
\pages 887--917
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn1106}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199508b.0887}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 1995
\vol 38
\issue 8
\pages 845--875
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU1995v038n08ABEH000099}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=A1995TF94900002}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn1106
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v165/i8/p887

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. E.Z Meilikhov, R.M Farzetdinova, “Branching of electron current and quantum effects in two-dimensional dislocation barrier of n-type semiconductor”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 3:4 (1998), 190  crossref  adsnasa  isi
    2. Z. A. Veliev, “Cascade capture of electrons by dislocations in many-valley semiconductors”, Semicond, 33:12 (1999), 1291  crossref  adsnasa  isi
    3. S. A. Shevchenko, “Electrical conductivity of germanium with dislocation grids”, Sov Phys JETP, 88:1 (1999), 66  crossref  adsnasa  isi
    4. Evgenii Z. Meilikhov, Rimma M. Farzetdinova, “Branching of electron current and quantum effects in two-dimensional dislocation barrier of n-type semiconductor”, Physica B: Condensed Matter, 284-288 (2000), 1908  crossref  isi
    5. A. A. Skvortsov, A. M. Orlov, V. A. Frolov, L. I. Gonchar, O. V. Litvinenko, “Influence of magnetic field on acoustic emission in dislocation-containing silicon under current loading”, Phys Solid State, 42:10 (2000), 1861  crossref  adsnasa  isi
    6. A. A. Skvortsov, A. M. Orlov, V. A. Frolov, A. A. Solov’ev, “Electrically stimulated movement of edge dislocations in silicon in the temperature range 300–450 K”, Phys Solid State, 42:11 (2000), 2054  crossref  adsnasa  isi
    7. A. A. Skvortsov, L. I. Gonchar, A. M. Orlov, “Electrically stimulated motion of dislocations in a constant magnetic field”, Phys Solid State, 45:9 (2003), 1683  crossref  adsnasa  isi
    8. Yu. M. Smirnov, I. A. Kaplunov, A. B. Dolmatov, “Dislocation Generation in Dislocation-Free Germanium”, Russ Phys J, 48:5 (2005), 460  crossref  elib
    9. V. B. Shikin, S. S. Nazin, I. S. Smirnova, S. I. Bredikhin, “Structure of surface-active bubblets in electrolytes”, Russ J Electrochem, 43:6 (2007), 667  crossref  isi  elib
    10. L. B. Hovakimian, “Strong-coupling theory of mobility collapse in GaN layers”, Appl Phys A, 96:1 (2009), 255  crossref  adsnasa  isi
    11. A. V. Shekoyan, “Ultrasonic waves in crystals with charged dislocations”, J. Contemp. Phys, 46:2 (2011), 70  crossref
    12. S. E. Krasavin, “Effect of charged dislocation walls on mobility in GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 46:5 (2012), 598  crossref  adsnasa  isi  elib
    13. I. Chikina, V. Shikin, “On dissociation in weakly doped ice”, Low Temp. Phys, 41:6 (2015), 465  crossref
    14. Gradoboev A.V., Simonova A.V., Orlova K.N., “Influence of irradiation by ^{60} Co gamma-quanta on reliability of IR-LEDs based upon AlGaAs heterostructures”, Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, Vol 13 No 10-12, Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics, 13, no. 10-12, ed. Hildebrandt S., Wiley-V C H Verlag Gmbh, 2016, 895–902  crossref  isi
    15. А. М. Мандель, В. Б. Ошурко, С. М. Першин, Квантовая электроника, 49:5 (2019), 505–511  mathnet; Quantum Electron., 49:5 (2019), 505–511  crossref  isi  elib
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:131
    Полный текст:61
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020