RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 1996, том 166, номер 7, страницы 807–808 (Mi ufn1211)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

БИБЛИОГРАФИЯ

Современные сведения о полупроводниках

В. С. Вавилов


DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0166.199607j.0807

Полный текст: PDF файл (285 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1996, 39:7, 757

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Критика и библиография
PACS: 01.30.Kj, 73.61.-r, 72.80.Ey, 78.30.Fs

Образец цитирования: В. С. Вавилов, “Современные сведения о полупроводниках”, УФН, 166:7 (1996), 807–808; Phys. Usp., 39:7 (1996), 757

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn1211
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v166/i7/p807

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Zhanghui Chen, Xiangwei Jiang, Shan Dong, Jingbo Li, Shushen Li, “Insight into the photoelectron angular dependent energy distribution of negative-electron-affinity InP photocathodes”, Appl. Phys. Lett, 104:2 (2014), 021120  crossref  isi  scopus
    2. А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848  mathnet  crossref  adsnasa; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  crossref  isi  elib
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:184
    Полный текст:91
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020