RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 1996, том 166, номер 8, страницы 859–871 (Mi ufn1214)  

Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Катодолюминесцентная микроскопия

В. И. Петров

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: В полупроводниковых материалах, из которых состоят такие оптоэлектронные приборы как полупроводниковые лазеры и светодиоды, очень существенны процессы излучательной рекомбинации, при которых и происходит рождение световых квантов. Эти полупроводниковые структуры состоят из эпитаксиальных слоев малой толщины, и эффективность излучательной рекомбинации в них существенно зависит от наличия структурных дефектов типа дислокаций, обычно являющихся центрами безызлучательной рекомбинации, и точечных дефектов. Последние обычно распределены по слоям неоднородно, что влечет за собой неоднородное распределение излучательных характеристик по слоям или мелким элементам структур. В связи с этим катодолюминесцентная сканирующая микроскопия, позволяющая контролировать распределение излучательных характеристик на микроуровне, является незаменимой при исследовании таких структур. Эффективность ее использования зависит от правильности понимания процессов, происходящих при взаимодействии электронного зонда с полупроводником и приводящих к возникновению светового излучения. Очень важно знать возможности и информативность метода.

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0166.199608c.0859

Полный текст: PDF файл (2362 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/ru/articles/1996/8/c/

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1996, 39:8, 807–818

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 07.79.-v, 61.16.Ch
Поступила: 1 июля 1996 г.

Образец цитирования: В. И. Петров, “Катодолюминесцентная микроскопия”, УФН, 166:8 (1996), 859–871; Phys. Usp., 39:8 (1996), 807–818

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn1214
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v166/i8/p859

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Cooke P., “Chemical Microscopy”, Anal. Chem., 70:12 (1998), 385R–423R  crossref  isi
    2. Yakimov E., “Modulation Methods in Scanning Electron Microscopy (Review)”, Ind. Lab., 64:7 (1998), 440–449  isi
    3. Nazarov M., Sobolevskaya R., Petrov V., Petrov A., “Cathodoluminescence and Photoluminescence Spectroscopy of Zns : Cu Crystals”, Izv. Akad. Nauk Ser. Fiz., 63:7 (1999), 1312–1317  isi
    4. Gagarin Y., Petrov V., Stepovich M., “On Possibility of Confluence Analysis in Cathodoluminescence Microscopy. Mathematical Modelling Results”, Izv. Akad. Nauk Ser. Fiz., 64:8 (2000), 1624–1628  isi
    5. Obraztsov A., Volkov A., Pavlovsky I., “Field Emission From Nanostructured Carbon Materials”, Diam. Relat. Mat., 9:3-6 (2000), 1190–1195  crossref  isi  scopus
    6. Zhu S., Rau E., Yang F., Zheng H., “A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors: Surface Electron Beam Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy”, Chin. Phys. Lett., 19:9 (2002), 1329–1332  crossref  adsnasa  isi  scopus
    7. Dzhabbarov R., “Energy Transfer of Ce3+ -> Eu2+ in the Caga2S4 Compound”, Semiconductors, 36:4 (2002), 394–397  crossref  adsnasa  isi  scopus
    8. Snopova M.G., Khokhlov A.G., Mikheev N.N., Stepovich M.A., “Mathematical Modeling Dependences of Intensity Monochromatic Cathodeluminescence From Electron Beam Energy for Two-Layer Semiconductor Structure - Art. No. 62780O”, Seventh Seminar on Problems of Theoretical and Applied Electron and Ion Optics, Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), 6278, eds. Filachev A., Gaidoukova I., SPIE-Int Soc Optical Engineering, 2006, 62780O, O2780  crossref  isi  scopus
    9. Oh Y.M., Lee K.M., Park K.H., Kim Y., Ahn Y.H., Park J.-Y., Lee S., “Correlating Luminescence From Individual Zno Nanostructures with Electronic Transport Characteristics”, Nano Lett., 7:12 (2007), 3681–3685  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    10. Vergeles P.S., Govorkov A.V., Polyakov A.Ya., Smirnov N.B., Yakimov E.B., “Ebic Investigations of Gan Layers Prepared by Epitaxial Lateral Overgrowth”, J. Surf. Ingestig.-X-Ray Synchro., 2:5 (2008), 688–691  crossref  isi  scopus
    11. MacRae C.M., Wilson N.C., “Luminescence Database I-Minerals and Materials”, Microsc. microanal., 14:2 (2008), 184–204  crossref  isi  elib  scopus
    12. M. G. Snopova, N. N. Mikheev, V. I. Petrov, M. A. Stepovich, “Mathematical modeling of the dependences of the monochromatic cathodoluminescence intensity on the electron beam energy for a three-layer semiconductor structure”, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys, 72:11 (2008), 1451  crossref  zmath  scopus
    13. Mikheev N.N., Polyakov A.N., Stepovich M.A., “On Applicability of Confluence Analysis in Cathodoluminescence Microscopy for Interval Estimation of Diffusion Lengths of Minority Carriers and Depths of Subsurface Regions with Depletion of Majority Carriers”, J. Surf. Ingestig.-X-Ray Synchro., 3:5 (2009), 820–825  crossref  isi  scopus
    14. G. K. Khachatryan, M. B. Kopchikov, V. K. Garanin, M. V. Chukichev, N. N. Golovin, “New data of typomorphic features of diamonds from placers in North Timan”, Moscow Univ. Geol. Bull, 64:2 (2009), 102  crossref
    15. Kovtunova T.I., Mikheev N.N., Polyakov A.N., Stepovich M.A., “On One Possibility of the Mathematical Modeling of the Dependence of Cathodoluminescence Intensity on the Energy of Beam Electrons with the Use of the Power Series Approximation in the Problem of Identifying the Parameters of Semiconductor Materials”, J. Surf. Ingestig.-X-Ray Synchro., 4:5 (2010), 778–783  crossref  isi  scopus
    16. Dvoretskii S.A., Dolganin Yu.N., Karpov V.V., Mikhailov N.N., Mikheev N.N., Mukhanova A.A., Polyakov A.N., Stepovich M.A., “Electron Probe Microanalysis of Hgcdte Heteroepitaxial Structures with Cdte Buffer Layers”, J. Surf. Ingestig.-X-Ray Synchro., 5:5 (2011), 934–940  crossref  isi  scopus
    17. Yakimov E.B., “Investigation of Electrical and Optical Properties in Semiconductor Structures via Sem Techniques with High Spatial Resolution”, J. Surf. Ingestig.-X-Ray Synchro., 6:6 (2012), 887–889  crossref  isi  scopus
    18. Polyakov A.N., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Stepovich M.A., “Two-Dimensional Diffusion and Cathodoluminescence of Excitons Generated by an Electron Beam in a Semiconductor Material: Results of Mathematical Modeling”, J. Surf. Ingestig.-X-Ray Synchro., 6:6 (2012), 901–905  crossref  isi  scopus
    19. Поляков А.Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christein J., Степович М.А., “Оценка значений электрофизических параметров полупроводниковых материалов по результатам измерений катодолюминесценции экситонов”, Прикладная физика, 2012, № 6, 41–46  elib
    20. Якимов Е.Б., “Исследование электрических и оптических свойств полупроводниковых структур с высоким пространственным разрешением методами рэм”, Поверхность. рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2012, № 11, 18–18  elib
    21. Федоров В.А., Новиков Г.В., Кочергина Ю.А., Чиванов А.В., “Исследование изменения механизмов деформации и разрушения при индентировании облученных бета-частицами щг кристаллов методами фрактографического анализа и многократного травления”, Вестник тамбовского университета. серия: естественные и технические науки, 18:1 (2013), 138–143  elib
    22. Jorge A., Polidori C., Garcia-Guinea J., Luis Nieves-Aldrey J., “Spectral cathodoluminescence analysis of hymenopteran mandibles with different levels of zinc enrichment in their teeth”, Arthropod Struct. Dev., 46:1, SI (2017), 39–48  crossref  isi  scopus
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:150
    Полный текст:57
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020