RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 1997, том 167, номер 4, страницы 407–412 (Mi ufn1304)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы

В. С. Вавилов

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Возбуждение электронной подсистемы полупроводников в результате фотоионизации и ионизации заряженными частицами, а также инжекция неравновесных носителей заряда стимулируют миграцию атомов, а также приводят к возникновению дефектов структуры и изменению их природы. Указанные явления вызывают изменения основных электрофизических параметров полупроводников, в том числе веществ, представляющих собой основные материалы современной твердотельной электроники. В работе приведены и проанализированы современные данные по этому вопросу.

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199704c.0407

Полный текст: PDF файл (1136 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/ru/articles/1997/4/c/

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1997, 40:4, 387–392

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 66.30.Fq, 66.30.Lw, 66.90.r, 78.50.Ge
Поступила: 1 марта 1997 г.

Образец цитирования: В. С. Вавилов, “Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы”, УФН, 167:4 (1997), 407–412; Phys. Usp., 40:4 (1997), 387–392

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn1304
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v167/i4/p407

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Manyakhin F., Kovalev A., Yunovich A., “Aging Mechanisms of Ingan/Algan/Gan Light-Emitting Diodes Operating at High Currents”, Mrs. Internet J. Nitride Semicond. Res., 3:53 (1998), art. no.–53  isi
    2. Kovalev A., Manyakhin F., Kudryashov V., Turkin A., Yunovich A., “Changes in the Luminescent and Electrical Properties of Ingan/Algan/Gan Light-Emitting Diodes During Extended Operation”, Semiconductors, 33:2 (1999), 192–199  crossref  adsnasa  isi  scopus
    3. Varyukhin V., Okunev V., Samoilenko Z., “Effect of Electric Fields on the Amorphous State Double Right Arrow Crystal Transition in Bipbsrcacuo (2223) Films”, Tech. Phys. Lett., 25:1 (1999), 72–74  crossref  adsnasa  isi  scopus
    4. T D Dzhafarov, M Serin, D Ören, B Süngü, M S Sadigov, J Phys D Appl Phys, 32:5 (1999), L5  crossref  adsnasa  isi  scopus
    5. В. С. Вавилов, П. К. Эфимиу, Д. Е. Зардас, УФН, 169:2 (1999), 209–212  mathnet  crossref; Phys. Usp., 42:2 (1999), 199–201  crossref  isi
    6. Bublik V., Kol'tsov G., Nemirovskii A., Yurchuk S., “Defect Formation in Subsurface Be+- and Se+-Doped Gaas Layers”, Crystallogr. Rep., 45:4 (2000), 689–694  crossref  adsnasa  isi  scopus
    7. Kuanyshev V., Belykh T., Ogorodnikov I., Shulgin B., Satybaldieva M., Kidibaev M., “Fundamental Processes of Radiation Energy Storage in Kdp (Kh2Po4) and Adp (Nh4H2Po4) Crystals”, Radiat. Meas., 33:5 (2001), 503–507  crossref  isi  scopus
    8. Sukach G., Smertenko P., Oleksenko P., Nakamura S., “Analysis of the Active Region of Overheating Temperature in Green Leds Based on Group III Nitrides”, Tech. Phys., 46:4 (2001), 438–441  crossref  isi  scopus
    9. Cremaldi L., Ostrovskii I., “Ultrasonic Defect Manipulation in Irradiated Silicon”, 2005 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record, Vols 1-5, IEEE Nuclear Science Symposium - Conference Record, ed. Yu B., IEEE, 2005, 482–485  crossref  isi  scopus
    10. Dutov A. Azarko I. Kozlova E. Komar V. Kurilovich N. Shipilo V. Shipilo N., “Spontaneous Synthesis of Diamond Crystals From Graphite Irradiated by Gamma Rays”, Crystallogr. Rep., 51:1 (2006), 122–127  crossref  adsnasa  isi  scopus
    11. Ma Z., Li W., Wang D., Zhao Z., Wang Y., Yang W., Zhao W., “Argon Ion-Dissipated Energy on Atomic Driving in Zinc-via Films Growth”, Solid State Commun., 137:8 (2006), 413–416  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    12. Serdobintsev A.A., Rokakh A.G., Stetsyura S.V., Zhukov A.G., “Secondary-Ion MASS Spectrometry of Photoconducting Targets”, Tech. Phys., 52:11 (2007), 1483–1489  crossref  isi  elib  scopus
    13. Ma Z.Q., “Optimal Energies for Ion-Assisted Growth of Iva Thin Films”, Int. J. Mod. Phys. B, 21:25 (2007), 4299–4322  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    14. H.N.. Yeritsyan, A.A.. Sahakyan, S.K.. Nikoghosyan, V.V.. Harutyunyan, K.S.h. Ohanyan, “In-Situ Study of Silicon Single Crystals Conductivity under Electron Irradiation”, JMP, 03:05 (2012), 383  crossref
    15. H.N.. Yeritsyan, V.V.. Harutunyan, A.A.. Sahakyan, S.K.. Nikoghosyan, A.S.. Hovhannisyan, “Space Environment Simulator for Testing of Materials and Devices”, JMP, 04:02 (2013), 180  crossref
    16. A. V. Skupov, “Simulation of radiation-defect formation processes in heterostructures with self-assembled Ge(Si)/Si(001) nanoislands under neutron irradiation”, Semiconductors, 49:5 (2015), 621  crossref  isi  scopus
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:75
    Полный текст:30
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019