Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 1999, том 169, номер 4, страницы 459–464 (Mi ufn1599)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

Л. Е. Воробьевa, Д. А. Фирсовa, В. А. Шалыгинa, В. Н. Тулупенкоb, Н. Н. Леденцовc, П. С. Копьевc, В. М. Устиновc, Ю. М. Шерняковc, Ж. И. Алфёровc

a Санкт-Петербургский государственный технический университет
b Донбасская государственная машиностроительная академия, г. Краматорск
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0169.199904g.0459

Полный текст: PDF файл (1156 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1999, 42:4, 391–396

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 01.10.Fv
Поступила: 20 января 1999 г.

Образец цитирования: Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Н. Тулупенко, Н. Н. Леденцов, П. С. Копьев, В. М. Устинов, Ю. М. Шерняков, Ж. И. Алфёров, “Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами”, УФН, 169:4 (1999), 459–464; Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn1599
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v169/i4/p459

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Vorobjev L., Firsov D., Shalygin V., Tulupenko V., Ledentsov N., Ustinov V., Alferov Z., “Injection Mid-Infrared Heterolasers Based on Intraband Carrier Transitions in Quantum Wells and Quantum Dots”, Izv. Akad. Nauk Ser. Fiz., 64:2 (2000), 294–298  mathscinet  isi
    2. Karayan H., Amakaryan A., Martirosyan S., Yolchyan R., Vardanyan H., Khudabashyan M., “About Multi-Stable Bipolar Structure Approximation by System of Virtual Bistable Semi-Conductor Elements.”, 1st IEEE International Conference on Circuits and Systems for Commnications, Proceedings, St Petersburg State Polytechnic Univ, 2002, 392–395  isi
    3. Vorobjev L.E., Firsov D.A., Shalygin V.A., Fedosov N.K., Panevin V.Yu., Andreev A., Ustinov V.M., Cirlin G.E., Egorov V.A., Tonkikh A.A., Fossard F., Tchernycheva M., Moumanis Kh., Julien F.H., Hanna S., Seilmeier A., Sigg H., “Intraband Light Absorption in Inas/Gaas Quantum Dots Covered with Ingaas Quantum Wells”, Semicond. Sci. Technol., 21:9 (2006), 1341–1347  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. Vorobjev L.E., Fedosov N.K., Panevin V.Yu., Firsov D.A., Shalygin V.A., Grozina M.I., Andreev A., Ustinov V.M., Tarasov I.S., Pikhtin N.A., Samsonenko Yu.B., Tonkikh A.A., Cirlin G.E., Egorov V.A., Julien F.H., Fossard F., Helman A., Moumanis Kh., “Interband Light Absorption and Pauli Blocking in Inas/Gaas Quantum Dots Covered by Ingaas Quantum Wells”, Semicond. Sci. Technol., 22:7 (2007), 814–818  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    5. Firsov D.A., Vorobjev L.E., Barzilovich M.A., Panevin V.Yu., Mikhaylov I.V., Fedosov N.K., Shalygin V.A., Tonkikh A.A., Polyakov N.K., Samsonenko Yu.B., Cirlin G.E., Zhukov A.E., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Ustinov V.M., Julien F.H., Sekowski M., Hanna S., Seilmeier A., “Light Emission, Absorption and Amplification in Inas/Gaas Quantum Dots and Gaas/Algaas Quantum Wells Resulting From Optical Pumping”, International Journal of Nanoscience, Vol 6, Nos 3 and 4, International Journal of Nanoscience Series, 6, no. 3-4, ed. Suris R., World Scientific Publ Co Pte Ltd, 2007, 241–244  crossref  isi
    6. L. V. Danilov, G. G. Zegrya, “Resonance Coulomb trapping of electrons in a deep quantum well”, Tech. Phys. Lett, 39:3 (2013), 255  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    7. L. V. Danilov, G. G. Zegrya, “The role of electron-electron interaction in the process of charge-carrier capture in deep quantum wells”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1336  crossref  isi  elib  scopus
    8. P.A. Belevskii, M.N. Vinoslavskii, V.N. Poroshin, N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, “Interband and intraband radiation from the n-InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells under the conditions of injection in high lateral electric fields”, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 74 (2015), 328  crossref  isi  scopus
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:146
    Полный текст:57
    Литература:36
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021