RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 2001, том 171, номер 7, страницы 689–715 (Mi ufn1893)  

Эта публикация цитируется в 48 научных статьях (всего в 48 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур

Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев

Институт физики полупроводников СО РАН

Аннотация: Гетероструктуры GexSi1–x/Si на основе двух элементарных полупроводников становятся важным элементом современной микроэлектроники. Успешное эпитаксиальное выращивание таких гетероструктур предполагает детальное знание механизмов упругой и пластической деформации сплошных и островковых пленок как на начальных стадиях эпитаксии, так и при последующей термообработке. В настоящем обзоре систематизирован и обобщен большой материал, отражающий достигнутый на сегодняшний день уровень понимания фундаментальных физических механизмов формирования упруго деформированных и пластически релаксированных гетерокомпозиций в системе GexSi1–x/Si, в частности, обсуждается использование "податливых" и "мягких" подложек, а также синтез островков нанометровых размеров (так называемых квантовых точек).

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0171.200107a.0689

Полный текст: PDF файл (5447 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/ru/articles/2001/7/a/
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2001, 44:7, 655–680

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 61.72.Lk, 62.25.+g, 73.40.Kp, 81.15.+z
Поступила: 18 октября 2000 г.

Образец цитирования: Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев, “Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур”, УФН, 171:7 (2001), 689–715; Phys. Usp., 44:7 (2001), 655–680

Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn1893
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v171/i7/p689

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, F. Schmitt, P. Hess, “The nucleation of coherent semiconductor islands during the Stranski-Krastanov growth induced by elastic strains”, Semicond, 36:10 (2002), 1097  crossref  adsnasa  isi  scopus
    2. Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, S. I. Chikichev, “Artificial GeSi substrates for heteroepitaxy: Achievements and problems”, Semicond, 37:5 (2003), 493  crossref  adsnasa  isi  scopus
    3. M. Carmody, D. Lee, M. Zandian, J. Phillips, J. Arias, “Threading and misfit-dislocation motion in molecular-beam epitaxy-grown HgCdTe epilayers”, J Electron Mater, 32:7 (2003), 710  crossref  adsnasa  isi  scopus
    4. P L Novikov, Yu B Bolkhovityanov, O P Pchelyakov, S I Romanov, L V Sokolov, “Specific behaviour of stress relaxation in Ge<sub>x</sub>Si<sub>1 x</sub> films grown on porous silicon based mesa substrates: computer calculations”, Semicond Sci Technol, 18:1 (2003), 39  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  scopus
    5. T. G. Yugova, M. G. Mil’vidskii, V. I. Vdovin, “Defect formation in Ge1−x Six/Ge(111) epitaxial heterostructures”, Phys Solid State, 46:8 (2004), 1520  crossref  adsnasa  isi  scopus
    6. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov, “Heterostructures GexSi1−x/Si(001) (x=0.18–0.62) grown by molecular beam epitaxy at a low (350 °C) temperature: specific features of plastic relaxation”, Thin Solid Films, 466:1-2 (2004), 69  crossref  adsnasa  isi  scopus
    7. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskii, M. A. Revenko, L. V. Sokolov, “Strain relaxation of GeSi/Si(001) heterostructures grown by low-temperature molecular-beam epitaxy”, J Appl Phys, 96:12 (2004), 7665  crossref  adsnasa  isi  scopus
    8. Yugay K., Muravjev A., Yugay K., Seropyan G., Sychev S., Konovalenko K., Huh Y., Pashkevich D., Stupak A., Kim J., “Squids on the Base of Strained Ybco Films”, J. Supercond., 17:6 (2004), 755–760  crossref  adsnasa  isi  scopus
    9. V. I. Vdovin, M. G. Mil’vidskii, T. G. Yugova, “Effect of the sign of misfit strain on the formation of a dislocation structure in SiGe epitaxial layers grown on Si and Ge substrates”, Crystallogr Rep, 50:5 (2005), 849  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    10. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko, L.V. Sokolov, “Heterostructures GexSi1−x/Si(001) grown by low-temperature (300–400°C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation”, Journal of Crystal Growth, 280:1-2 (2005), 309  crossref  adsnasa  isi  scopus
    11. Vartanian V., Sadaka M., Zollner S., Thean A., White T., Nguyen B., Zavala M., McCormick L., Prabhu L., Eades D., Parsons S., Collard H., Kim K., Jiang J., Dhandapani V., Hildreth J., Powers R., Spencer G., Ramani N., Mogab J., Kottke M., Canonico M., Xie Q., Wang X., Vella J., Contreras L., Theodore D., Lu B., Kriske T., Gregory R., Liu R., “Metrology Challenges for 45 Nm Strained-Si Devices”, Characterization and Metrology for Ulsi Technology 2005, AIP Conference Proceedings, 788, eds. Seiler D., Diebold A., McDonald R., Ayre C., Khosla R., Secula E., Amer Inst Physics, 2005, 214–221  crossref  adsnasa  isi  scopus
    12. Pchelyakov O., Dvurechenskii A., Nikiforov A., Pakhanov N., Sokolov L., Chikichev S., Yakimov A., “Si-Ge-Gaas Nanoheterostructures for Photovoltaic Cells”, Phys. Solid State, 47:1 (2005), 63–66  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    13. Yu. B. Bolkhovityanov, A. S. Deryabin, A. K. Gutakovskiǐ, M. A. Revenko, L. V. Sokolov, “Origination of misfit dislocations at the surface during the growth of GeSi/Si(001) films by low-temperature (300–400°C) molecular-beam epitaxy”, Semicond, 40:3 (2006), 319  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    14. Victor Vartanian, Stefan Zollner, A. V.-Y. Thean, T. White, B.-Y. Nguyen, L. Prabhu, D. Eades, S. Parsons, H. Desjardins, K. Kim, “Metrology Challenges for 45-nm Strained-Si Device Technology”, IEEE Trans Semicond Manufact, 19:4 (2006), 381  crossref  isi  scopus
    15. O. Klin, P. C. Klipstein, E. Jacobsohn, E. Saguy, I. Shtrichman, A. Raizman, E. Weiss, “Molecular beam epitaxy grown In[sub 1−x]Al[sub x]Sb∕InSb structures for infrared detectors”, Journal of Vacuum Science & Technology B, 24:3 (2006), 1607  crossref  adsnasa  isi  scopus
    16. M.Ya. Valakh, V.M. Dzhagan, O.S. Lytvyn, V.P. Melnik, B.M. Romanjuk, V.O. Yukhymchuk, “Strain relaxation in thin SiGe epilayers doped with carbon”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 253:1-2 (2006), 27  crossref  isi  scopus
    17. Yugay K., Muravjev A., Seropyan G., Konovalenko K., Huh Y., “Thin Films of High-T-C Ybco with Frozen Strains”, Low Temp. Phys., 32:1 (2006), 55–60  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    18. Ioffe V.M., “Is It Possible to Make Materials with Ionic Superconductivity?”, Apeie-2006 8th International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering Proceedings, Vol 1, Novosibirsk State Tech Univ, 2006, 21–27  crossref  isi  scopus
    19. А. А. Шкляев, М. Ичикава, “Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния”, УФН, 178:2 (2008), 139–169  mathnet  crossref  adsnasa; A. A. Shklyaev, M. Ichikawa, “Extremely dense arrays of germanium and silicon nanostructures”, Phys. Usp., 51:2 (2008), 133–161  crossref  isi
    20. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, “Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках: современное состояние исследований и разработок”, УФН, 178:5 (2008), 459–480  mathnet  crossref  adsnasa; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, “GaAs epitaxy on Si substrates: modern status of research and engineering”, Phys. Usp., 51:5 (2008), 437–456  crossref  isi
    21. V. I. Khizhnyi, “Electroacoustic conversion in modulation-doped SiGe∕Si heterostructures”, Low Temp Phys, 34:1 (2008), 63  crossref  adsnasa  isi  scopus
    22. Ioffe V.M., “Is It Possible to Make Materials with Ionic Super Conductivity? Part II”, 2008 9th International Conference on Actual Problems on Electronic Instrument Engineering Proceedings, Vol 1, Novosibirsk State Tech Univ, 2008, 15–21  crossref  isi  scopus
    23. Р. Х. Акчурин, Л. Б. Берлинер, А. А. Малджы, А. А. Мармалюк, “Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs”, Матем. моделирование, 21:5 (2009), 114–126  mathnet
    24. S. G. Psakhie, G. E. Rudenskiǐ, A. V. Zheleznyakov, T. V. Men’shchikova, A. I. Dmitriev, K. P. Zol’nikov, “Size effect on the kinematic parameters of nanometer-thick bilayer films”, Tech Phys Lett, 35:3 (2009), 217  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    25. V. A. Zinov’ev, “Dislocation nucleation in SiGe nanoscale islands formed during heteroepitaxial growth”, Optoelectron Instrument Proc, 45:4 (2009), 332  crossref  zmath
    26. Ioffe V.M., “Does High Temperature Ionic Superconductivity Exists?”, Int. J. Mod. Phys. B, 23:4 (2009), 597–613  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    27. E. M. Trukhanov, “Properties of misfit dislocations and pseudodislocations not typical for defects of homogeneous crystals”, J Synch Investig, 4:1 (2010), 36  crossref  mathscinet  isi  scopus
    28. Leonhardt D., Sheng J., Cederberg J.G., Li Q., Carroll M.S., Han S.M., “Nanoscale Interfacial Engineering to Grow Ge on Si as Virtual Substrates and Subsequent Integration of Gaas”, Thin Solid Films, 518:21 (2010), 5920–5927  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    29. Vladimir M. Kaganer, Karl K. Sabelfeld, “Short range correlations of misfit dislocations in the X-ray diffraction peaks”, Phys. Status Solidi A, 2011, n/a  crossref  isi  scopus
    30. S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, “Phase transitions and the nucleation of catalytic nanostructures under the action of chemical, physical, and mechanical factors”, Kinet Catal, 49:1 (2011), 79  crossref  isi
    31. Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, L. V. Sokolov, “Potentialities and basic principles of controlling the plastic relaxation of GeSi/Si and Ge/Si films with stepwise variation in the composition”, Semiconductors, 42:1 (2011), 1  crossref  adsnasa  isi
    32. Shanygin V.Ya., Yafarov R.K., “Nanostructuring of the Submonolayer Carbon Coatings Deposited Onto the Surface of Silicon Single Crystals in a Low-Pressure Microwave Discharge Plasma”, Tech. Phys., 57:8 (2012), 1115–1120  crossref  isi  elib  scopus
    33. Kopp V.S., Kaganer V.M., Capellini G., De Seta M., Zaumseil P., “X-Ray Diffraction Study of Plastic Relaxation in Ge-Rich Sige Virtual Substrates”, Phys. Rev. B, 85:24 (2012), 245311  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    34. A. L. Vasiliev, V. V. Roddatis, M. Yu. Presnyakov, A. S. Orekhov, S. Lopatin, “Microstructure of interfaces in heterosystems”, Nanotechnol Russia, 8:5-6 (2013), 317  crossref  elib  scopus
    35. Kukushkin S.A., Osipov A.V., “Theory of Phase Transformations in the Mechanics of Solids and its Applications for Description of Fracture, Formation of Nanostructures and Thin Semiconductor Films Growth”, Deformation and Fracture in Technological Processes, Key Engineering Materials, 528, eds. Hwang Y., Jeng Y., Jiang C., Trans Tech Publications Ltd, 2013, 145–164  crossref  isi  elib  scopus
    36. R. D. Vengrenovich, B. V. Ivanskii, M. O. Stasyk, I. I. Panko, “On the size distribution in three-dimensional quantum-dot crystals”, Semiconductors, 48:6 (2014), 783  crossref  isi  elib  scopus
    37. Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, M. A. Shaleev, “Plastic relaxation in GeSi layers on Si (001) and Si (115) substrates”, Semiconductors, 49:1 (2015), 19  crossref  isi  elib  scopus
    38. Muslimov A.E., Butashin A.V., Kolymagin A.B., Vasilyev A.L., Kanevsky V.M., “Real Structure of the Zno Epitaxial Films on (0001) Leucosapphire Substrates Coated By Ultrathin Gold Layers”, Crystallogr. Rep., 61:1 (2016), 63–65  crossref  isi  scopus
    39. Sharabani Ya., Shafir I., Zoran Sh., Raizman A., Sher A., Rosenwaks Y., Eger D., “Validation of Fast Current Interruption Mechanism in Sub-Nanosecond High-Voltage Switching Diodes”, IEEE Electron Device Lett., 37:8 (2016), 1041–1044  crossref  isi  elib  scopus
    40. Maras E., Trushin O., Stukowski A., Ala-Nissila T., Jonsson H., “Global transition path search for dislocation formation in Ge on Si(001)”, Comput. Phys. Commun., 205 (2016), 13–21  crossref  isi  scopus
    41. Trushin O., Maras E., Stukowski A., Granato E., Ying S.C., Jonsson H., Ala-Nissila T., “Minimum energy path for the nucleation of misfit dislocations in Ge/Si(0 0 1) heteroepitaxy”, Model. Simul. Mater. Sci. Eng., 24:3 (2016), 035007  crossref  isi  elib  scopus
    42. Kolotovkina D.A., Gutakovskii A.K., Bakarov A.K., “Structure and Morphology of Insb Epitaxial Films in the Alas Matrix”, Nanotechnol. Russ., 11:1-2 (2016), 12–19  crossref  isi  elib  scopus
    43. Schulze A., Strakos L., Vystavel T., Loo R., Pacco A., Collaert N., Vandervorst W., Caymax M., “Non-Destructive Characterization of Extended Crystalline Defects in Confined Semiconductor Device Structures”, Nanoscale, 10:15 (2018), 7058–7066  crossref  isi  scopus
    44. Plusnin N.I., Maslov A.M., “Atomic-Force Microscopy Probe-Activated Morphological Transformations in a Nanophase Copper Wetting Layer on Silicon”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 187–190  crossref  isi  scopus
    45. Tregulov V.V., Litvinov V.G., Ermachikhin A.V., “Study of Current Flow Mechanisms in a Cds/Por-Si/P-Si Heterostructure”, Semiconductors, 52:7 (2018), 891–896  crossref  isi  scopus
    46. Plyusnin N.I., “Formation of a Nanophase Wetting Layer and Metal Growth on a Semiconductor”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 980–983  crossref  isi  scopus
    47. Kovalskiy V.A., Eremenko V.G., Vergeles P.S., Soltanovich O.A., Khodos I.I., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., “On the Mechanism of Cross-Hatch Pattern Formation in Heterostructures With a Small Lattice Mismatch”, Appl. Surf. Sci., 479 (2019), 930–941  crossref  isi  scopus
    48. Candussio S., Budkin V G., Otteneder M., Kozlov D.A., Dmitriev I.A., Bel'kov V.V., Kvon Z.D., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Ganichev S.D., “Cyclotron-Resonance-Induced Photogalvanic Effect in Surface States of 200-Nm-Thick Strained Hgte Films”, Phys. Rev. Mater., 3:5 (2019), 054205  crossref  isi
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:267
    Полный текст:100
    Литература:38
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020