RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 2003, том 173, номер 6, страницы 649–665 (Mi ufn2144)  

Эта публикация цитируется в 26 научных статьях (всего в 26 статьях)

ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

Теллурид кадмия–ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники

В. П. Пономаренко

Государственный научный центр Российской Федерации ФГУП "НПО "ОРИОН"

Аннотация: Описаны основные результаты и этапы создания в 1969–2002 гг. полупроводниковых твердых растворов теллуридов кадмия–ртути (монокристаллов и эпитаксиальных слоев), а также фотоприемников инфракрасного диапазона на их основе (фоторезисторов и фотодиодов, в том числе матричных).

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200306c.0649

Полный текст: PDF файл (4288 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/.../c
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2003, 46:6, 629–644

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 01.65.+g, 07.57.Kp, 85.60.Gz
Поступила: 4 декабря 2002 г.

Образец цитирования: В. П. Пономаренко, “Теллурид кадмия–ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники”, УФН, 173:6 (2003), 649–665; Phys. Usp., 46:6 (2003), 629–644

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pon03}
\by В.~П.~Пономаренко
\paper Теллурид кадмия–ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники
\jour УФН
\yr 2003
\vol 173
\issue 6
\pages 649--665
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn2144}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200306c.0649}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2003
\vol 46
\issue 6
\pages 629--644
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2003v046n06ABEH001372}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000185710500003}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn2144
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v173/i6/p649

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Bogoboyashchyy V.V., Elizarov A.I., Izhnin I.I., “Conversion of conductivity type in Cu-doped Hg0.8Cd0.2Te crystals under ion beam milling”, Semiconductor Science and Technology, 20:8 (2005), 726–732  crossref  adsnasa  isi  scopus
    2. Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Pociask M., Vlasov A.P., “Relaxation of electrical properties of n-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-group acceptors”, Semiconductor Science and Technology, 21:8 (2006), 1144–1149  crossref  adsnasa  isi  scopus
    3. Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., “The nature of the compositional dependence of p-n junction depth in ion-milled p-HgCdTe”, Semiconductor Science and Technology, 21:2 (2006), 116–123  crossref  adsnasa  isi  scopus
    4. K. D. Mynbaev, V. I. Ivanov-Omskiǐ, “Doping of epitaxial layers and heterostructures based on HgCdTe”, Semicond, 40:1 (2006), 1  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    5. Izhnin I., Korbutyak D., Pociask M., Savchyn V., “Luminescence investigation of ion milled CdTe”, Physica Status Solidi C, Current Topics in Solid State Physics, 3:4 (2006), 1063–1065  crossref  adsnasa  isi  scopus
    6. Izhnin I.I., Bogoboyashchyy V.V., Vlasov A.P., Mynbaev K.D., Pociask M., “Relaxation of electrical properties of epitaxial CdxHg1-xTe: As(Sb) layers converted into n-type by ion milling”, 19th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), 6636, 2007, 63612–63612  isi
    7. Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Mynbaev K.D., Pociask M., “Conductivity type conversion in ion-milled p-HgCdTe: As heterostructures grown by molecular beam epitaxy”, Applied Physics Letters, 91:13 (2007), 132106  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    8. Bogoboyashchyy V.V., Izhnin I.I., Pociask M., Mynbaev K.D., Ivanov-Omskii V.I., “Conduction type conversion in ion etching of Au- and Ag-doped narrow-gap HgCdTe single crystal”, Semiconductors, 41:7 (2007), 804–809  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    9. Voitsekhovskii A.V., Grigor'ev D.V., Talipov N.Kh., “Ion implantation into heteroepitaxial Cd (x) Hg1-x Te grown by molecular-beam epitaxy”, Russian Physics Journal, 51:10 (2008), 1001–1015  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    10. Pociask M., Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Mynbaev K.D., Ivanov-Omskii V.I., “Electrical properties of n-HgCdTe heteroepitaxial layers modified by ion etching”, Semiconductors, 42:12 (2008), 1413–1415  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    11. Kotkov A.P., Grishnova N.D., Moiseev A.N., Suchkov A.I., Denisov I.A., Smirnova N.A., Shmatov N.I., Drozdov M.N., “Production of Double-Layer Epitaxial Structures Based on the Solid Solution of the Cd-Hg-Te System Using a Combination of LPE and MOCVD Techniques”, Inorganic Materials, 44:12 (2008), 1305–1311  crossref  isi  elib  scopus
    12. Izhnin I.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Varavin V.S., Pociask M., Mynbaev K.D., “Ion-Beam-Induced Modification of the Electrical Properties of Vacancy-Doped Mercury Cadmium Telluride”, Technical Physics Letters, 34:11 (2008), 981–984  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    13. Burlakov I.D., Demin A.V., Levin G.G., Piskunov N.A., Zabotnov S.V., Kashuba A.S., “Measurement of Intensity of the Second Optical Harmonic in Heteroepitaxial Cadmium-Mercury Telluride Structures”, Measurement Techniques, 53:6 (2010), 615–619  crossref  isi  elib  scopus
    14. Pociask M., Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Izhnin A.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G., Varavin V.S., “Blue-shift in photoluminescence of ion-milled HgCdTe films and relaxation of defects induced by the milling”, Thin Solid Films, 518:14 (2010), 3879–3881  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    15. Бурлаков И.Д., Кашуба А.С., Демин А.В., Заботнов С.В., “Генерация второй оптической гармоники в гетероэпитаксиальных структурах теллурида кадмия-ртути”, Прикладная физика, 2011, № 2, 103–106  elib
    16. Корнеева М.Д., Пономаренко В.П., Филачëв А.М., “Современное состояние и новые направления полупроводниковой ИК-фотоэлектроники”, Прикладная физика, 2011, № 2, 47–60  elib
    17. Берченко Н.Н., Елизаров А.И., “Методы анализа явлений переноса в HgCdTe при наличии нескольких типов носителей”, Прикладная физика, 2011, № 4, 79–87  elib
    18. Yu. G. Nurullaev, B. Sh. Barkhalov, S. K. Novruzova, “Effect of γ-irradiation on conductivity of cadmium-mercury-tellurium single crystals in weak and strong electric fields”, High Energy Chem, 46:4 (2012), 266  crossref  isi  scopus
    19. Нуруллаев Ю.Г., Бархалов Б.Ш., Новрузова С.К., Химия высоких энергий, 46:4 (2012), 314–314  elib
    20. V. A. Kholodnov, “On the theory of the photoelectric effect in surface-graded-gap semiconductors”, Semiconductors, 47:1 (2013), 66  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    21. Нуруллаев Ю.Г., Бархалов Б.Ш., Новрузова С.К., Химия высоких энергий, 47:3 (2013), 223–223  elib
    22. Yu. G. Nurullaev, B. S. Barkhalov, S. K. Novruzova, “Thermal electromotive force of hot carriers in γ-irradiated single crystals of cadmium mercury tellurides”, High Energy Chem, 47:3 (2013), 127  crossref  isi  scopus
    23. Izhnin I.I., Mynbaev K.D., Voitsekhovsky A.V., Korotaev A.G., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Bonchyk A.Yu., Savytskyy H.V., Fitsych O.I., “Long-Term Stability of Electron Concentration in Hgcdte-Based P-N Junctions Fabricated With Ion Etching”, Infrared Phys. Technol., 73 (2015), 158–165  crossref  isi  elib  scopus
    24. Burlakov I.D., Dirochka A.I., Korneeva M.D., Ponomarenko V.P., Filachev A.M., “Solid state photoelectronics: the current state and new prospects”, J. Commun. Technol. Electron., 61:10 (2016), 1166–1174  crossref  isi  elib  scopus
    25. Nurullaev Yu.G., Barkhalov B.Sh., “Thermophoto-emf of hot carriers in -irradiated single crystals of Cadmium Mercury Tellurides”, High Energy Chem., 50:5 (2016), 344–348  crossref  isi  elib  scopus
    26. Talipov N.Kh., Voitsekhovskii A.V., “Ion Implantation in Narrow-Gap Cdxhg1-Xte Solid Solutions”, Russ. Phys. J., 61:6 (2018), 1005–1023  crossref  isi  scopus
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:367
    Полный текст:140
    Литература:36
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020