RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 2003, том 173, номер 8, страницы 813–846 (Mi ufn2163)  

Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии

А. Р. Челядинскийa, Ф. Ф. Комаровb

a Белорусский государственный университет, физический факультет
b НИИ прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко, Белорусский государственный университет

Аннотация: Изложены основные результаты исследований дефектно-примесного взаимодействия в имплантированном кремнии. Проанализированы факторы, влияющие на протекание квазихимических реакций: температура, уровень ионизации, внутренние электрические поля и поля упругих напряжений. Рассмотрены методы подавления образования остаточных нарушений (стержнеобразные дефекты, дислокационные петли), методы снижения коэффициентов диффузии примесей в имплантированном кремнии и методы геттерирования металлических примесей. Представлены примеры практической реализации дефектно-примесной инженерии в микроэлектронике.

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200308b.0813

Полный текст: PDF файл (8285 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/.../b
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2003, 46:8, 789–820

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 61.72.Cc, 61.72.Tt, 61.72.Yx
Поступила: 27 ноября 2002 г.
Доработана: 29 апреля 2003 г.

Образец цитирования: А. Р. Челядинский, Ф. Ф. Комаров, “Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии”, УФН, 173:8 (2003), 813–846; Phys. Usp., 46:8 (2003), 789–820

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CheKom03}
\by А.~Р.~Челядинский, Ф.~Ф.~Комаров
\paper Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии
\jour УФН
\yr 2003
\vol 173
\issue 8
\pages 813--846
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn2163}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200308b.0813}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2003
\vol 46
\issue 8
\pages 789--820
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2003v046n08ABEH001371}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000187205200002}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn2163
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v173/i8/p813

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Belova M.M., Moskalwov M.N., Belov Yu.A., Rudich A.E., Olikhovskii S.J., Kochelab E.V., “Modelling of evolution of system of microdefects in the crystalline supersaturated solid solution. III. Numerical calculations”, Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 29:6 (2007), 727–742  isi
    2. Belova M.M., Moskalwov M.M., Rudych O.E., Olikhovs'ky S.J., Kochelab E.V., “Crystal supersaturated solid solution. I. The equations of evolution and laws of conservation”, Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 29:4 (2007), 427–450  mathscinet  isi
    3. Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Shpakovski S.V., Petrov A.V., Lastovskii S.B., Fink D., Wieck A., “Electrical properties of silicon diodes with p(+)n junctions irradiated with Au-197(+26) swift heavy ions”, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 266:23 (2008), 5007–5012  crossref  isi  scopus
    4. Olikhovskii S.J., Kislovskii E.M., Vladi-Mirova T.P., Molodkin V.B., Seredenko R.F., Kochelab E.V., Kogut M.T., “The Nature of Sensitivity of High-Resolution Double-Crystal Diffractometry to Characteristics of Defects of Several Types in Crystals and Their Evolution After Thermal Annealing”, Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 30:6 (2008), 721–747  isi
    5. Rudakov V.I., Victorov A.A., Denisenko Yu.I., Mochalov B.V., Ovcharov V.V., “Features of evolution of implanted profiles during RTA in non-isothermal reactor”, Micro- and Nanoelectronics 2007, Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), 7025, 2008, 2519–2519  adsnasa  isi
    6. Dolgolenko A.P., Gaidar G.P., Varentsov M.D., Litovchenko P.G., “The influence of germanium dopant on radiation hardness of silicon with high oxygen concentration”, Problems of Atomic Science and Technology, 2008, no. 2, 28–36  isi
    7. Molodkin V.B., Klad'ko V.P., Olikhovs'kii S.J., Kislovskiy E.M., Vladimirova T.P., Kochelab E.V., Seredenko R.F., Slobodyan M.V., Reshetnyk O.V., “Diffraction Characterization of Microdefect Structure of Silicon Crystals after Isochronal Annealing”, Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 31:9 (2009), 1205–1222  isi
    8. Ovcharov V.V., Rudakov V.I., “Phenomenological Model of the Diffusion of Impurity Atoms in Ultrathin Silicon Layers with a Nonuniform Distribution of Temperatures”, Journal of Surface Investigation X ray Synchrotron and Neutron Techniques, 3:4 (2009), 639–643  crossref  isi  scopus
    9. Olikh O.Ya., “The variation in activity of recombination centers in silicon p-n structures under the conditions of acoustic loading”, Semiconductors, 43:6 (2009), 745–750  crossref  adsnasa  isi  scopus
    10. Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Shpakovski S.V., Filipenia V.A., Lastovskii S.B., Skuratov V.A., Wieck A., Markevich V.P., “Impedance and barrier capacitance of silicon diodes implanted with high-energy Xe ions”, Microelectronics Reliability, 50:6 (2010), 813–820  crossref  isi  elib  scopus
    11. Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Ermakova A.V., Tarasik M.I., Shpakovski S.V., Filipenia V.A., Skuratov V.A., Wieck A., Koltunowicz T.N., “Impedance of Reverse Biased Diodes Irradiated with Krypton Ions with Energy of 250 Mev”, Prz. Elektrotechniczny, 88:7A (2012), 312–314  isi  elib
    12. Poklonski N.A., Gorbachuk N.I., Nha V.Q., Tarasik M.I., Shpakovski S.V., Filipenia V.A., Skuratov V.A., Wieck A., Koltunowicz T.N., “Current-Voltage Characteristic Features of Diodes Irradiated with 170 Mev Xenon Ions”, Acta Phys. Pol. A, 123:5 (2013), 926–928  crossref  isi  elib  scopus
    13. V. I. Rudakov, V. V. Ovcharov, V. F. Lukichev, Yu. I. Denisenko, “Investigation into the diffusion of boron, phosphorus, and arsenic in silicon during annealing in a nonisothermal reactor”, Russ Microelectron, 43:4 (2014), 284  crossref  elib  scopus
    14. Litovchenko V.G., Melnik V.P., Romanjuk B.M., “Nano-Size Phase Formation At Acoustically Stimulated Ion Beam Synthesis”, Ukr. J. Phys., 60:1 (2015), 64–73  crossref  mathscinet  isi  scopus
    15. Bazarov V.V., Nuzhdin V.I., Valeev V.F., Vorobev V.V., Osin Yu.N., Stepanov A.L., “Spectral Ellipsometry and Electron Backscatter Diffraction Analyses of Silicon Surfaces Implanted with Silver Ions”, J. Appl. Spectrosc., 83:1 (2016), 47–50  crossref  isi  elib  scopus
    16. Tigishvili M., Khuchua N., Gapishvili N., Sakharova T., Dolidze N., Jibuti Z., Peradze G., Melkadze R., “Impact of Damages in Monocrystalline N-Si on Material Photosensitivity”, Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, Vol 14, No 7, Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics, 14, no. 7, ed. Mtchedlidze T., Wiley-V C H Verlag Gmbh, 2017, UNSP 1700094  crossref  isi  scopus
    17. Makarenko L.F., Lastovskii S.B., Yakushevich H.S., Moll M., Pintilie I., “Effect of Electron Injection on Defect Reactions in Irradiated Silicon Containing Boron, Carbon, and Oxygen”, J. Appl. Phys., 123:16 (2018), 161576  crossref  isi  scopus
    18. Agafonov Y.A., Bogatov N.M., Grigorian L.R., Zinenko V.I., Kovalenko A.I., Kovalenko M.S., Kolokolov F.A., “Effect of Radiation-Induced Defects Produced By Low-Energy Protons in a Heavily Doped Layer on the Characteristics of N(+)-P-P(+) Si Structures”, J. Surf. Ingestig., 12:3 (2018), 499–503  crossref  isi  scopus
    19. Herega A., “Percolation Model of the Long-Range Effect”: Herega, A, Selected Models of the Mesostructure of Composites: Percolation, Clusters, and Force Fields, Springerbriefs in Physics, Springer International Publishing Ag, 2018, 17–25  crossref  isi
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:177
    Полный текст:73
    Литература:34
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019