RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 2004, том 174, номер 3, страницы 259–283 (Mi ufn23)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света

Л. А. Фальковский

Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН

Аннотация: Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Присутствие носителей особенно существенно вблизи таких частот и волновых векторов фононов, где возникает затухание Ландау вследствие рождения электрон-дырочных пар. Обсуждается возможность определения величины электрон-фононного взаимодействия при исследовании спектра связанных фонон-плазмонных мод.

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259

Полный текст: PDF файл (4105 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/.../b
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2004, 47:3, 249–272

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 63.20.-e, 63.20.Dj, 78.30.-j
Поступила: 1 сентября 2003 г.

Образец цитирования: Л. А. Фальковский, “Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света”, УФН, 174:3 (2004), 259–283; Phys. Usp., 47:3 (2004), 249–272

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fal04}
\by Л.~А.~Фальковский
\paper Исследования полупроводников с~дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света
\jour УФН
\yr 2004
\vol 174
\issue 3
\pages 259--283
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn23}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259}
\adsnasa{http://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004PhyU...47..249F}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2004
\vol 47
\issue 3
\pages 249--272
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2004v047n03ABEH001735}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000223338900002}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn23
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v174/i3/p259

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Yu. S. Ponosov, I. Loa, V. E. Mogilenskikh, K. Syassen, “Raman scattering in osmium under pressure”, Phys Rev B, 71:22 (2005), 220301  crossref  adsnasa  isi  scopus
    2. L. A. Falkovsky, “Disorder effects on the Raman line shape in ZrO2”, Sov Phys JETP, 102:1 (2006), 155  crossref  zmath  adsnasa  isi  scopus
    3. Dmitruk, N, “Morphology, Raman scattering and photoluminescence of porous GaAs layers”, Sensors and Actuators B-Chemical, 126:1 (2007), 294  crossref  mathscinet  isi  scopus
    4. Е. Г. Максимов, А. Е. Каракозов, “О неадиабатических эффектах в фононных спектрах металлов”, УФН, 178:6 (2008), 561–576  mathnet  crossref  adsnasa; E. G. Maksimov, A. E. Karakozov, “On nonadiabatic effects in phonon spectra of metals”, Phys. Usp., 51:6 (2008), 535–549  crossref  isi
    5. Shiryaev, AA, “Isotopic heterogeneity in synthetic and natural silicon carbide”, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 69:10 (2008), 2492  crossref  adsnasa  isi  scopus
    6. Fumeron, S, “Multiscale heat conduction near a disclination”, EPL, 82:6 (2008), 66003  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    7. Devki N. Talwar, “Direct evidence of LO phonon-plasmon coupled modes in n-GaN”, Appl Phys Lett, 97:5 (2010), 051902  crossref  adsnasa  isi  scopus
    8. Shiryaev A.A., Griffin W.L., Stoyanov E., “Moissanite (SiC) from kimberlites: Polytypes, trace elements, inclusions and speculations on origin”, Lithos, 122:3–4 (2011), 152–164  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    9. Milekhin A.G., Yeryukov N.A., Sveshnikova L.L., Duda T.A., Zenkevich E.I., Kosolobov S.S., Latyshev A.V., Himcinski C., Surovtsev N.V., Adichtchev S.V., Feng Zh.Ch., Wu Ch.Ch., Wuu D.S., Zahn D.R.T., “Surface Enhanced Raman Scattering of Light by Zno Nanostructures”, J. Exp. Theor. Phys., 113:6 (2011), 983–991  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    10. Tetyana R. Barlas, Nicolas L. Dmitruk, Nataliya V. Kotova, Denys O. Naumenko, Valentinas Snitka, “Micro-Raman Cross-Section Study of Ordered Porous III-V Semiconductor Layers”, MRS Proc, 1534 (2013)  crossref  scopus
    11. Ilias Efthimiopoulos, Jiaming Zhang, Melvin Kucway, Changyong Park, R.C.. Ewing, “Sb2Se3 under pressure”, Sci. Rep, 3 (2013)  crossref  isi  scopus
    12. L. A. Falkovsky, “Influence of ferromagnetic ordering on Raman scattering in CoS_{2}”, Phys. Rev. B, 88:15 (2013)  crossref  isi  elib  scopus
    13. Vladimir Poborchii, Yukinori Morita, Manabu Ishimaru, Tetsuya Tada, “Ultraviolet Raman spectra of few nanometer thick silicon-on-insulator nanofilms: Lifetime reduction of confined phonons”, Appl. Phys. Lett, 105:15 (2014), 153112  crossref  isi  scopus
    14. Malashchonak M.V., Mazanik A.V., Korolik O.V., Streltsov E.A., Kulak A.I., “Influence of Wide Band Gap Oxide Substrates on the Photoelectrochemical Properties and Structural Disorder of Cds Nanoparticles Grown By the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (Silar) Method”, Beilstein J. Nanotechnol., 6 (2015), 2252–2262  crossref  isi  scopus
    15. Stegailov V.V., Zhilyaev P.A., “Warm dense gold: effective ion–ion interaction and ionisation”, Mol. Phys., 114:3-4, SI (2016), 509–518  crossref  isi  elib  scopus
    16. Hu Ch., Chen Q., Chen F., Gfroerer T.H., Wanlass M.W., Zhang Y., “Overcoming Diffusion-Related Limitations in Semiconductor Defect Imaging With Phonon-Plasmon-Coupled Mode Raman Scattering”, Light-Sci. Appl., 7 (2018), 23  crossref  zmath  isi  scopus
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:366
    Полный текст:106
    Литература:31
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021