|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света
Л. А. Фальковский
Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН
Аннотация:
Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Присутствие носителей особенно существенно вблизи таких частот и волновых векторов фононов, где возникает затухание Ландау вследствие рождения электрон-дырочных пар. Обсуждается возможность определения величины электрон-фононного взаимодействия при исследовании спектра связанных фонон-плазмонных мод.
DOI:
https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259
 Полный текст:
PDF файл (4105 kB)
Полный текст:
http://www.ufn.ru/.../b
Список литературы:
PDF файл
HTML файл
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2004, 47:3, 249–272
Реферативные базы данных:
 
Тип публикации:
Статья
PACS:
63.20.-e, 63.20.Dj, 78.30.-j
Поступила: 1 сентября 2003 г.
Образец цитирования:
Л. А. Фальковский, “Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света”, УФН, 174:3 (2004), 259–283; Phys. Usp., 47:3 (2004), 249–272
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fal04}
\by Л.~А.~Фальковский
\paper Исследования полупроводников с~дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света
\jour УФН
\yr 2004
\vol 174
\issue 3
\pages 259--283
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn23}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259}
\adsnasa{http://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004PhyU...47..249F}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2004
\vol 47
\issue 3
\pages 249--272
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2004v047n03ABEH001735}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000223338900002}
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/ufn23 http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v174/i3/p259
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
-
Yu. S. Ponosov, I. Loa, V. E. Mogilenskikh, K. Syassen, “Raman scattering in osmium under pressure”, Phys Rev B, 71:22 (2005), 220301
 -
L. A. Falkovsky, “Disorder effects on the Raman line shape in ZrO2”, Sov Phys JETP, 102:1 (2006), 155
 -
Dmitruk, N, “Morphology, Raman scattering and photoluminescence of porous GaAs layers”, Sensors and Actuators B-Chemical, 126:1 (2007), 294
 -
Е. Г. Максимов, А. Е. Каракозов, “О неадиабатических эффектах в фононных спектрах металлов”, УФН, 178:6 (2008), 561–576
 ; E. G. Maksimov, A. E. Karakozov, “On nonadiabatic effects in phonon spectra of metals”, Phys. Usp., 51:6 (2008), 535–549 -
Shiryaev, AA, “Isotopic heterogeneity in synthetic and natural silicon carbide”, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 69:10 (2008), 2492
-
Fumeron, S, “Multiscale heat conduction near a disclination”, EPL, 82:6 (2008), 66003
 -
Devki N. Talwar, “Direct evidence of LO phonon-plasmon coupled modes in n-GaN”, Appl Phys Lett, 97:5 (2010), 051902
-
Shiryaev A.A., Griffin W.L., Stoyanov E., “Moissanite (SiC) from kimberlites: Polytypes, trace elements, inclusions and speculations on origin”, Lithos, 122:3–4 (2011), 152–164
-
Milekhin A.G., Yeryukov N.A., Sveshnikova L.L., Duda T.A., Zenkevich E.I., Kosolobov S.S., Latyshev A.V., Himcinski C., Surovtsev N.V., Adichtchev S.V., Feng Zh.Ch., Wu Ch.Ch., Wuu D.S., Zahn D.R.T., “Surface Enhanced Raman Scattering of Light by Zno Nanostructures”, J. Exp. Theor. Phys., 113:6 (2011), 983–991
-
Tetyana R. Barlas, Nicolas L. Dmitruk, Nataliya V. Kotova, Denys O. Naumenko, Valentinas Snitka, “Micro-Raman Cross-Section Study of Ordered Porous III-V Semiconductor Layers”, MRS Proc, 1534 (2013)
-
Ilias Efthimiopoulos, Jiaming Zhang, Melvin Kucway, Changyong Park, R.C.. Ewing, “Sb2Se3 under pressure”, Sci. Rep, 3 (2013)
-
L. A. Falkovsky, “Influence of ferromagnetic ordering on Raman scattering in CoS_{2}”, Phys. Rev. B, 88:15 (2013)
-
Vladimir Poborchii, Yukinori Morita, Manabu Ishimaru, Tetsuya Tada, “Ultraviolet Raman spectra of few nanometer thick silicon-on-insulator nanofilms: Lifetime reduction of confined phonons”, Appl. Phys. Lett, 105:15 (2014), 153112
-
Malashchonak M.V., Mazanik A.V., Korolik O.V., Streltsov E.A., Kulak A.I., “Influence of Wide Band Gap Oxide Substrates on the Photoelectrochemical Properties and Structural Disorder of Cds Nanoparticles Grown By the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (Silar) Method”, Beilstein J. Nanotechnol., 6 (2015), 2252–2262
-
Stegailov V.V., Zhilyaev P.A., “Warm dense gold: effective ion–ion interaction and ionisation”, Mol. Phys., 114:3-4, SI (2016), 509–518
-
Hu Ch., Chen Q., Chen F., Gfroerer T.H., Wanlass M.W., Zhang Y., “Overcoming Diffusion-Related Limitations in Semiconductor Defect Imaging With Phonon-Plasmon-Coupled Mode Raman Scattering”, Light-Sci. Appl., 7 (2018), 23
|
| Просмотров: |
| Эта страница: | 366 | | Полный текст: | 106 | | Литература: | 31 | | Первая стр.: | 1 |
|
Пользовательское соглашение