RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 2008, том 178, номер 2, страницы 139–169 (Mi ufn559)  

Эта публикация цитируется в 52 научных статьях (всего в 52 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния

А. А. Шкляевabc, М. Ичикаваcb

a Институт физики полупроводников СО РАН
b Japan Science and Technology Agency
c Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo

Аннотация: В обзоре анализируются результаты исследования поверхностных процессов образования наноструктур германия и кремния. Рассмотрены закономерности зарождения трехмерных островков и релаксации напряженного двумерного слоя при гетероэпитаксии германия на кремнии, которые вызывают самопроизвольный рост островков. Окисление поверхности кремния перед осаждением германия или кремния кардинально изменяет механизм роста и приводит к созданию островков с предельно высокой плотностью $10^{12}$$10^{13}$ см$^{-2}$ и размерами менее 10 нм. Их свойства определяются эффектами пространственного квантования. Массивы этих островков, в свою очередь, образуют уникальную поверхность для роста на ней слоев кремния, способных излучать фотоны с длиной волны 1,5–1,6 мкм.

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0178.200802b.0139

Полный текст: PDF файл (9414 kB)
Полный текст: http://www.ufn.ru/ru/articles/2008/2/b/
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2008, 51:2, 133–161

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 78.55.Ap, 81.07.-b, 81.16.-c
Поступила: 1 февраля 2007 г.
Доработана: 21 июля 2007 г.

Образец цитирования: А. А. Шкляев, М. Ичикава, “Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния”, УФН, 178:2 (2008), 139–169; Phys. Usp., 51:2 (2008), 133–161

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShkIch08}
\by А.~А.~Шкляев, М.~Ичикава
\paper Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния
\jour УФН
\yr 2008
\vol 178
\issue 2
\pages 139--169
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn559}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0178.200802b.0139}
\adsnasa{http://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2008PhyU...51..133S}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2008
\vol 51
\issue 2
\pages 133--161
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2008v051n02ABEH006344}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000256729400002}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-45149130684}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn559
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v178/i2/p139

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Shklyaev A.A., Gorbunov A.V., Ichikawa M., “Photoluminescence Study of Energy Levels in Ge Quantum Dots in Si”, 2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technologies, 2009, 24–26  crossref  isi  scopus
    2. A. A. Shklyaev, A. V. Latyshev, M. Ichikawa, “1.5–1.6 μm photoluminescence of silicon layers with a high density of lattice defects”, Semicond, 44:4 (2010), 432  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. V. I. Psarev, “An investigation into the kinetics of formation of inclusions during the decomposition of supersaturated solid solutions”, Russ J Non-ferrous Metals, 51:5 (2010), 398  crossref  isi  elib  scopus
    4. Shklyaev A.A., Latyshev A.B., Ichikawa M., “Defect-related luminescence from nanostructured Si layers in the 1.5-1.6 mu m wavelength region”, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2009, Proceedings of SPIE-the International Society for Optical Engineering, 7521, 2010  isi
    5. A A Shklyaev, F N Dultsev, K P Mogilnikov, A V Latyshev, M Ichikawa, “Electroluminescence of dislocation-rich Si layers grown using oxidized Si surfaces”, J Phys D Appl Phys, 44:2 (2011), 025402  crossref  adsnasa  isi  scopus
    6. Masakazu Ichikawa, Yoshiaki Nakamura, Alexander Shklyaev, Norohito Fujinoki, “Opto-Electronic Properties of Ge and Si Related Nanostructures on Ultrathin Si Oxide Covered Si Surfaces”, MRS Proc, 1145 (2011)  crossref
    7. К. Н. Романюк, А. А. Шкляев, Б. З. Ольшанецкий, А. В. Латышев, “Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011), 740–745  mathnet; K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, B. Z. Olshanetsky, A. V. Latyshev, “Formation of Ge clusters at a Si(111)-Bi-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ surface”, JETP Letters, 93:11 (2011), 661–666  crossref  isi
    8. А. А. Шкляев, К. Н. Романюк, А. В. Латышев, А. В. Аржанников, “Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 477–480  mathnet; A. A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, A. V. Latyshev, A. V. Arzhannikov, “Effect of dislocations on the shape of islands during silicon growth on the oxidized Si(111) surface”, JETP Letters, 94:6 (2011), 442–445  crossref  isi
    9. A. Hernández-Hernández, V. T. Rangel-Kuoppa, Thomas Plach, F. De Moure-Flores, J. G. Quiñones-Galván, J. Santoyo-Salazar, M. Zapata-Torres, L. A. Hernández-Hernández, M. Meléndez-Lira, “Synthesis of visible light emitting self assembled Ge nanocrystals embedded within a SiO2 matrix”, J. Appl. Phys, 111:4 (2012), 044327  crossref  adsnasa  isi  scopus
    10. A.A. Shklyaev, A.V. Latyshev, M. Ichikawa, “Excitation Dependence of Photoluminescence in the 1.5-1.6 μm Wavelength Region from Grown Dislocation-Rich Si Layers”, Physics Procedia, 32 (2012), 117  crossref  adsnasa  isi  scopus
    11. I. I. Kurkina, I. V. Antonova, A. A. Shklyaev, S. A. Smagulova, M. Ichikawa, “Luminescence and deep-level transient spectroscopy of grown dislocation-rich Si layers”, AIP Advances, 2:3 (2012), 032152  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  elib  scopus
    12. Сатдаров В.Г, Войцеховский А.В, Коханенко А.П, Лозовой К.А, Калин Е.А., “Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method”, Известия высших учебных заведений. физика, 55 (2012), 271–272  elib
    13. Кулинич О.А., “Роль механизмов пластической деформации при формировании наноструктурированного кремния и его фотолюминесцентные свойства”, Известия высших учебных заведений. физика, 55:1 (2012), 52–57  elib; O. A. Kulinich, “Role of plastic deformation mechanisms in the formation of nanostructured silicon and its photoluminescent properties”, Russ Phys J, 55:1 (2012), 58  crossref  isi  scopus
    14. A. Shklyaev, A.S. Kozhukhov, V.A. Armbrister, D.V. Gulyaev, “Surface morphology of Si layers grown on SiO$_2$”, Applied Surface Science, 267 (2013), 40–44  crossref  adsnasa  isi  scopus
    15. A.A. Shklyaev, D.V. Gulyaev, K.S. Zhuravlev, A.V. Latyshev, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, “Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO$_2$”, Optics Communications, 286 (2013), 228–232  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    16. A. B. Nadtochy, O. A. Korotchenkov, V. V. Kuryliuk, “Subsurface localization of charge carriers in Si/SiO2/Si x Ge1 − x nanostructures”, Tech. Phys, 58:3 (2013), 393  crossref  isi  elib  scopus
    17. V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Y.N. Kozyrev, V.P. Kladko, Y.V. Gomeniuk, “Surface reconstruction and optical absorption changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(1 0 0) surfaces”, Semicond. Sci. Technol, 28:8 (2013), 085009  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  elib  scopus
    18. V. V. Kuryliuk, O. A. Korotchenkov, “Features of the stress-strain state of Si/SiO2/Ge heterostructures with germanium nanoislands of a limited density”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1031  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    19. A.A.. Shklyaev, K.N.. Romanyuk, A.V.. Latyshev, “Epitaxial Ge Growth on Si(111) Covered with Ultrathin SiO<sub>2</sub> Films”, JSEMAT, 03:03 (2013), 195  crossref
    20. A.A. Shklyaev, K.N. Romanyuk, S.S. Kosolobov, “Surface morphology of Ge layers epitaxially grown on bare and oxidized Si(001) and Si(111) substrates”, Surface Science, 2014  crossref  isi  scopus
    21. A. A. Shklyaev, O. A. Shegai, Y. Nakamura, M. Ichikawa, “Impact ionization of excitons in Ge/Si structures with Ge quantum dots grown on the oxidized Si(100) surfaces”, J. Appl. Phys, 115:20 (2014), 203702  crossref  isi  scopus
    22. N. N. Gerasimenko, K. B. Tynyshtykbaev, V. V. Starkov, N. A. Medetov, S. Zh. Tokmoldin, “On the nature of cracks using single-crystalline silicon subjected to anodic etching as an example”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1088  crossref  isi  scopus
    23. V. I. Psarev, L. A. Parkhomenko, “Study of the structural-functional state of disperse precipitations in ion-irradiated materials”, J. Synch. Investig, 8:6 (2014), 1177  crossref  scopus
    24. Mykytiuk A.A., Kondratenko S.V., Lysenko V.S., Kozyrev Yu.N., “Photocurrent Spectroscopy of Ge Nanoclusters Grown on Oxidized Silicon Surface”, Nanophotonics V, Proceedings of Spie, 9126, eds. Andrews D., Nunzi J., Ostendorf A., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2014, 91263J  crossref  isi  scopus
    25. Lysenko V.S., Gomeniuk Y.V., Kondratenko S.V., Melnichuk Y.Y., Kozyrev Y.N., Teichert C., “Transport and Photoelectric Effects in Structures With Ge and Sige Nanoclusters Grown on Oxidized Si (001)”, Functional Nanomaterials and Devices Vii, Advanced Materials Research, 854, eds. Nazarov A., Lysenko V., Flandre D., Trans Tech Publications Ltd, 2014, 11–19  crossref  isi  scopus
    26. Garbar N.P., Kudina V.N., Lysenko V.S., Kondratenko S.V., Kozyrev Yu.N., “Effect of Ge-Nanoislands on the Low-Frequency Noise in Si/Siox/Ge Structures”, Functional Nanomaterials and Devices Vii, Advanced Materials Research, 854, eds. Nazarov A., Lysenko V., Flandre D., Trans Tech Publications Ltd, 2014, 21–27  crossref  isi  scopus
    27. K.A.. Lozovoy, A.P.. Kokhanenko, A.V.. Voitsekhovskii, “Influence of Edge Energy on Modeling the Growth Kinetics of Quantum Dots”, Crystal Growth & Design, 2015, 1501271455  crossref  isi  scopus
    28. Shuto Yamasaka, Yoshiaki Nakamura, Tomohiro Ueda, Shotaro Takeuchi, Yuta Yamamoto, “Fabrication of Si Thermoelectric Nanomaterials Containing Ultrasmall Epitaxial Ge Nanodots with an Ultrahigh Density”, Journal of Elec Materi, 2015  crossref  isi  scopus
    29. Shklyaev A.A., Ponomarev K.E., “Strain-Induced Ge Segregation on Si At High Temperatures”, J. Cryst. Growth, 413 (2015), 94–99  crossref  isi
    30. Alexander Shklyaev, Leonid Bolotov, Vladimir Poborchii, Tetsuya Tada, “Properties of three-dimensional structures prepared by Ge dewetting from Si(111) at high temperatures”, J. Appl. Phys, 117:20 (2015), 205303  crossref  isi  scopus
    31. Lozovoy K.A., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G., “Photodetectors and Solar Cells With Ge/Si Quantum Dots Parameters Dependence on Growth Conditions”, Int. J. Nanotechnol., 12:3-4 (2015), 209–217  crossref  isi  scopus
    32. Satdarov V.G., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., “Investigation of Ge/Si Quantum Dot Structures Using the Methods of Admittance Spectroscopy”, Int. J. Nanotechnol., 12:3-4 (2015), 285–296  crossref  isi  scopus
    33. A.A. Shklyaev, K.E. Ponomarev, “Strain-induced Ge segregation on Si at high temperatures”, Journal of Crystal Growth, 413 (2015), 94  crossref  scopus
    34. Budazhapova A.E., Shklyaev A.A., “Mechanisms of Surface Morphology Formation During Ge Growth on Si(100) At High Temperatures”, 2015 16Th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro-Nanotechnologies and Electron Devices, IEEE, 2015, 12–15  isi
    35. Shklyaev A.A. Budazhapova A.E., “Ge Deposition on Si(100) in the Conditions Close To Dynamic Equilibrium Between Islands Growth and Their Decay”, Appl. Surf. Sci., 360:B (2016), 1023–1029  crossref  isi  scopus
    36. Ishibe T., Watanabe K., Nakamura Y., “Effect of Fe coating of nucleation sites on epitaxial growth of Fe oxide nanocrystals on Si substrates”, Jpn. J. Appl. Phys., 55:8, 1 (2016), 08NB12  crossref  isi  scopus
    37. Psarev V.I., Parkhomenko L.A., “On the dissolution and nucleation of dispersed precipitates in ion-irradiated alloys”, J. Surf. Ingestig., 10:3 (2016), 593–596  crossref  isi  scopus
    38. Hernandez-Hernandez A., Hernandez-Hernandez L.A., Marel Monroy B., Santoyo-Salazar J., Santana-Rodriguez G., Marquez-Herrera A., Gallardo-Hernandez S., Mani-Gonzalez P.G., Melendez-Lira M., “Synthesis of Self-Assembled Ge Nanocrystals Employing Reactive Rf Sputtering”, Rev. Mex. Fis., 62:6 (2016), 558–564  isi
    39. Lozovoy K.A. Kokhanenko A.P. Voitsekhovskii A.V., “Critical thickness of 2D to 3D transition in Ge _{x} Si _{1x} /Si(001) system”, Appl. Phys. Lett., 109:2 (2016), 021604  crossref  isi  elib  scopus
    40. Shklyaev A.A., Latyshev A.V., “Surface Morphology Transformation Under High-Temperature Annealing of Ge Layers Deposited on Si(100)”, Nanoscale Res. Lett., 11 (2016), 366  crossref  isi  elib  scopus
    41. Ishibe T., Matsui H., Watanabe K., Takeuchi Sh., Sakai A., Nakamura Y., “Epitaxial iron oxide nanocrystals with memory function grown on Si substrates”, Appl. Phys. Express, 9:5 (2016), 055508  crossref  isi  elib  scopus
    42. Saito Sh., Al-Attili A.Z., Oda K., Ishikawa Ya., “Towards monolithic integration of germanium light sources on silicon chips”, Semicond. Sci. Technol., 31:4 (2016), 043002  crossref  isi  elib  scopus
    43. Lysenko V., Gomeniuk Yu.V., Kudina V., Garbar N., Kondratenko S., Kozyrev Yu., “Physical Insights on Charge Transport Mechanism and the LF Noise Behavior in Oxidized Si Structures with Ge Nanoclusters”, J. Nano Res., 39 (2016), 105+  crossref  isi  elib  scopus
    44. Pishchagin A.A., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Serokhvostov V.Yu., Dzyadukh S.M., Nikiforov A.I., “Admittance Spectroscopy of Ge/Si P-i-N Structures With Ge Quantum Dots”, 3Rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (Saint Petersburg Open 2016), Journal of Physics Conference Series, 741, IOP Publishing Ltd, 2016, UNSP 012015  crossref  isi  scopus
    45. Izhnin I.I., Fitsych O.I., Pishchagin A.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Dzyadukh S.M., Nikiforov A.I., “Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots”, Nanoscale Res. Lett., 12 (2017), 131  crossref  isi  scopus
    46. Shklyaev A.A., Romanyuk K.N., Kosolobov S.S., Latyshev A.V., “Surface Morphologies Obtained By Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces At Different Temperatures”, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, eds. Latyshev A., Dvurechenskii A., Aseev A., Elsevier Science BV, 2017, 325–344  crossref  isi  scopus
    47. Lozovoy K. Kokhanenko A. Voitsekhovskii A., “Comparative Analysis of Germanium-Silicon Quantum Dots Formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) Surfaces”, Nanotechnology, 29:5 (2018), 054002  crossref  isi  scopus
    48. Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., “Critical Thickness of Transition From 2D to 3D Growth and Peculiarities of Quantum Dots Formation in Gexsi1-X/Sn/Si and Ge1-Ysny/Si Systems”, Surf. Sci., 669 (2018), 45–49  crossref  isi  scopus
    49. Matsui H., Ishibe T., Terada Ts., Sakane Sh., Watanabe K., Takeuchi Sh., Sakai A., Kimura Sh., Nakamura Y., “Resistive Switching Characteristics of Isolated Core-Shell Iron Oxide/Germanium Nanocrystals Epitaxially Grown on Si Substrates”, Appl. Phys. Lett., 112:3 (2018), 031601  crossref  isi  scopus
    50. Kokhanenko A.P. Lozovoy K.A. Voitsekhovskii A.V., “Comparison of the Growth Processes of Germanium Quantum Dots on the Si(100) and Si(111) Surfaces”, Russ. Phys. J., 60:11 (2018), 1871–1879  crossref  isi  scopus
    51. Izhnin I.I., Fitsycha O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V., “Nanostructures With Ge-Si Quantum Dots For Infrared Photodetectors”, Opto-Electron. Rev., 26:3 (2018), 195–200  crossref  isi  scopus
    52. Shklyaev A.A., Latyshev A.V., “Electromigration Effect on the Surface Morphology During the Ge Deposition on Si(111) At High Temperatures”, Appl. Surf. Sci., 465 (2019), 10–14  crossref  isi  scopus
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:395
    Полный текст:100
    Литература:56
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020