RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Подписка
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


УФН, 2018, том 188, номер 11, страницы 1226–1237 (Mi ufn6194)  

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Поверхностные состояния топологических изоляторов

О. А. Панкратов

University of Erlangen-Nürnberg

Аннотация: Топологические электронные состояния были предсказаны Б.А. Волковым и О.А. Панкратовым в 1985 г. как пограничные состояния в инверсном контакте между полупроводниками IV–VI со взаимно инвертированными зонами. Как стало ясно впоследствии, “инвертированный” полупроводник SnTe является топологическим изолятором и инверсный контакт служит примером топологически нетривиальной границы. Обсуждаются основные результаты работы Б.А. Волкова и О.А. Панкратова 1985 года и рассматривается, чем модель инверсного контакта может быть полезна для объяснения тесной связи между топологически нетривиальной зонной структурой в объёме и топологическими состояниями на поверхности. Модель инверсного контакта даёт определённые преимущества для более глубокого понимания этой связи, поскольку она допускает аналитическое решение. Неоднородная полупроводниковая структура описывается с помощью эффективного гамильтониана Дирака для материалов IV–VI, полученного аналитически из модели сильной связи. Это позволяет проследить связь между топологическими поверхностными состояниями и зонами в объёме. В результате спиновая текстура поверхностных состояний может быть явно выражена через объёмные характеристики. Оказывается, что спиновой текстурой можно управлять, изменяя изгиб зон на поверхности. В связи с нетривиальной спиновой поляризацией на поверхности интересно рассмотреть взаимодействие Рудермана–Киттеля–Касуи–Иосиды (РККИ) магнитных адатомов, которое может служить локальным зондом для спинового распределения. Это взаимодействие имеет гораздо более сложную структуру, чем в случае обычного неполяризованного ферми-газа. Аналитическая теория позволяет получить явную связь между РККИ-взаимодействием на поверхности топологического изолятора и параметрами объёмного спектра.

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.12.038307

Полный текст: PDF файл (1686 kB)
Первая страница: PDF файл
Полный текст: http://www.ufn.ru/.../k
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2018, 61:11, 1116–1126

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 73.20.-r, 73.40.Lq, 73.43.Cd

Одобрена в печать: 13 декабря 2017 г.

Образец цитирования: О. А. Панкратов, “Поверхностные состояния топологических изоляторов”, УФН, 188:11 (2018), 1226–1237; Phys. Usp., 61:11 (2018), 1116–1126

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pan18}
\by О.~А.~Панкратов
\paper Поверхностные состояния топологических изоляторов
\jour УФН
\yr 2018
\vol 188
\issue 11
\pages 1226--1237
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6194}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.12.038307}
\adsnasa{http://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2018PhyU...61.1116P}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=36544253}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2018
\vol 61
\issue 11
\pages 1116--1126
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2017.12.038307}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000457154900010}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85062295444}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ufn6194
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ufn/v188/i11/p1226

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
  • Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Просмотров:
    Эта страница:66
    Литература:8
    Первая стр.:6

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019