Вычислительные методы и программирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Выч. мет. программирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Выч. мет. программирование, 2010, том 11, выпуск 3, страницы 210–214 (Mi vmp312)  

Вычислительные методы и приложения

Особый режим легирования наноколонн подложки кремния

Г. А. Тарнавский

Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН

Аннотация: Проводится компьютерное моделирование ионной имплантации примесей в наноколонны поверхности кремниевой пластины при направлении потока ионов, параллельном основанию пластины.

Ключевые слова: математическое моделирование; легирование кремния; имплантация; донорные и акцепторные примеси.

Полный текст: PDF файл (537 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 519.2:541.1

Образец цитирования: Г. А. Тарнавский, “Особый режим легирования наноколонн подложки кремния”, Выч. мет. программирование, 11:3 (2010), 210–214

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Tar10}
\by Г.~А.~Тарнавский
\paper Особый режим легирования наноколонн подложки кремния
\jour Выч. мет. программирование
\yr 2010
\vol 11
\issue 3
\pages 210--214
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vmp312}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/vmp312
  • http://mi.mathnet.ru/rus/vmp/v11/i3/p210

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Вычислительные методы и программирование
    Просмотров:
    Эта страница:40
    Полный текст:55
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021