Вычислительные методы и программирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Выч. мет. программирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Выч. мет. программирование, 2001, том 2, выпуск 1, страницы 12–26 (Mi vmp764)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках

Г. А. Тарнавскийa, С. И. Шпакa, М. С. Обрехтb

a Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН, г. Новосибирск
b Университет Ватерлоо, Канада

Аннотация: В работе рассматривается идеология приближенного моделирования сложного физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал, при движении по нему волны окисления, а также реализующий эту идеологию компьютерный алгоритм. Приводятся примеры расчетов сегрегации бора, мышьяка, фосфора и сурьмы в кремнии на границе “кремний/двуокись кремния”.

Ключевые слова: процессы сегрегации; волны окисления; легирующие примеси; численное моделирование; физико-химические процессы.

Полный текст: PDF файл (741 kB)
УДК: 519.2:541.1

Образец цитирования: Г. А. Тарнавский, С. И. Шпак, М. С. Обрехт, “Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках”, Выч. мет. программирование, 2:1 (2001), 12–26

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarShpObr01}
\by Г.~А.~Тарнавский, С.~И.~Шпак, М.~С.~Обрехт
\paper Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации
легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках
\jour Выч. мет. программирование
\yr 2001
\vol 2
\issue 1
\pages 12--26
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vmp764}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/vmp764
  • http://mi.mathnet.ru/rus/vmp/v2/i1/p12

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Г. А. Тарнавский, А. В. Алиев, А. Г. Тарнавский, “Математическое моделирование процессов формирования наноструктур легирующих примесей в базовом материале (нанотехнологии для микроэлектроники)”, Сиб. журн. вычисл. матем., 10:4 (2007), 401–416  mathnet
  • Вычислительные методы и программирование
    Просмотров:
    Эта страница:49
    Полный текст:24
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021