Вычислительные методы и программирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Выч. мет. программирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Выч. мет. программирование, 2001, том 2, выпуск 1, страницы 92–111 (Mi vmp769)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува

А. Л. Александровa, Г. А. Тарнавскийa, С. И. Шпакa, А. И. Гулидовa, М. С. Обрехтb

a Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН, г. Новосибирск
b University of Waterloo

Аннотация: Разработана идеология приближенного моделирования динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках, в которой на основе геометрического подхода проведено расширение 1-D метода Дила-Гроува на 2-D класс задач. Приводятся примеры расчетов роста подобласти двуокиси кремния SiO2 при его окислении в различных средах (O2 или H2O) и динамики границ SiO2/Si и SiO2/окислитель в широком диапазоне определяющих параметров и позиций нитридных масок, закрывающих часть поверхности кремния.

Ключевые слова: рост пленок; окисление материалов; нитридные маски; численное моделирование; полупроводники.

Полный текст: PDF файл (1090 kB)
УДК: 519.2:541.1

Образец цитирования: А. Л. Александров, Г. А. Тарнавский, С. И. Шпак, А. И. Гулидов, М. С. Обрехт, “Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува”, Выч. мет. программирование, 2:1 (2001), 92–111

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleTarShp01}
\by А.~Л.~Александров, Г.~А.~Тарнавский, С.~И.~Шпак, А.~И.~Гулидов, М.~С.~Обрехт
\paper Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в
полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и
метода Дила-Гроува
\jour Выч. мет. программирование
\yr 2001
\vol 2
\issue 1
\pages 92--111
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vmp769}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/vmp769
  • http://mi.mathnet.ru/rus/vmp/v2/i1/p92

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Г. А. Тарнавский, А. В. Алиев, А. Г. Тарнавский, “Математическое моделирование процессов формирования наноструктур легирующих примесей в базовом материале (нанотехнологии для микроэлектроники)”, Сиб. журн. вычисл. матем., 10:4 (2007), 401–416  mathnet
  • Вычислительные методы и программирование
    Просмотров:
    Эта страница:66
    Полный текст:31
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021