RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование, 2019, том 12, выпуск 2, страницы 150–157 (Mi vyuru496)  

Краткие сообщения

Исследование одной математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике

Н. А. Манакова, К. В. Васючкова

Южно-Уральский государственный университет, г. Челябинск, Российская Федерация

Аннотация: Статья посвящена исследованию задачи Коши для одной математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике. Под полупроводником мы будем понимать вещества, обладающие конечной электропроводностью, быстро возрастающей с ростом температуры. Математическая модель распределения потенциалов строится на основе полулинейного уравнения соболевского типа, дополненного условиями Дирихле и Коши. Строятся условия существования решения исследуемой модели на основе метода фазового пространства. Приводятся условия продолжимости решения по времени.

Ключевые слова: уравнения соболевского типа, математическая модель распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике, метод фазового пространства, квазистационарные полутраектории.

Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.А03.21.0011
Статья выполнена при поддержке Правительства РФ (Постановление № 211 от 16.03.2013 г.), соглашение № 02.А03.21.0011.


DOI: https://doi.org/10.14529/mmp190213

Полный текст: PDF файл (191 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 517.9
MSC: 60H30
Поступила в редакцию: 27.12.2018

Образец цитирования: Н. А. Манакова, К. В. Васючкова, “Исследование одной математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике”, Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование, 12:2 (2019), 150–157

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ManVas19}
\by Н.~А.~Манакова, К.~В.~Васючкова
\paper Исследование одной математической модели распределения потенциалов в кристаллическом полупроводнике
\jour Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование
\yr 2019
\vol 12
\issue 2
\pages 150--157
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/vyuru496}
\crossref{https://doi.org/10.14529/mmp190213}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=38225245}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/vyuru496
  • http://mi.mathnet.ru/rus/vyuru/v12/i2/p150

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Просмотров:
    Эта страница:9
    Полный текст:4
    Литература:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020