Журнал вычислительной математики и математической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Ж. вычисл. матем. и матем. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 1975, том 15, номер 4, страницы 923–930 (Mi zvmmf6246)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Об одном методе решения нелинейных краевых задач, описывающих распределение неосновных носителей в базе полупроводниковой структуры

В. П. Григоренко, В. Н. Смирнова, М. Л. Тай

Горький

Аннотация: Предложен вычислительный алгоритм решения нелинейных краевых задач, использующий известные методы квазилинеаризации, прогонки и продолжения решения по параметру. Приведены результаты применения этого алгоритма для изучения математической модели распределения носителей в базе полупроводниковой структуры, описываемой нелинейной краевой задачей для обыкновенного дифференциального уравнения второго порядка.

Полный текст: PDF файл (831 kB)

Англоязычная версия:
USSR Computational Mathematics and Mathematical Physics, 1975, 15:4, 107–114

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 518:517.91/.94
MSC: Primary 34B15; Secondary 65L10
Поступила в редакцию: 06.06.1973
Исправленный вариант: 06.12.1973

Образец цитирования: В. П. Григоренко, В. Н. Смирнова, М. Л. Тай, “Об одном методе решения нелинейных краевых задач, описывающих распределение неосновных носителей в базе полупроводниковой структуры”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 15:4 (1975), 923–930; U.S.S.R. Comput. Math. Math. Phys., 15:4 (1975), 107–114

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GriSmiTai75}
\by В.~П.~Григоренко, В.~Н.~Смирнова, М.~Л.~Тай
\paper Об одном методе решения нелинейных краевых задач, описывающих распределение неосновных носителей в базе полупроводниковой структуры
\jour Ж. вычисл. матем. и матем. физ.
\yr 1975
\vol 15
\issue 4
\pages 923--930
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/zvmmf6246}
\mathscinet{http://www.ams.org/mathscinet-getitem?mr=0391520}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:0326.34022}
\transl
\jour U.S.S.R. Comput. Math. Math. Phys.
\yr 1975
\vol 15
\issue 4
\pages 107--114
\crossref{https://doi.org/10.1016/0041-5553(75)90170-6}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/zvmmf6246
  • http://mi.mathnet.ru/rus/zvmmf/v15/i4/p923

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Сайфутдинов А.И., Тимеркаев Б.А., “Дрейфовая модель тлеющего разряда с учетом нелокального значения напряженности электрического поля в источнике ионизации”, Инженерно-физический журнал, 85:5 (2012), 1104–1109  elib
  • Журнал вычислительной математики и математической физики Computational Mathematics and Mathematical Physics
    Просмотров:
    Эта страница:417
    Полный текст:217
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021