RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Ж. вычисл. матем. и матем. физ.:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 2004, том 44, номер 12, страницы 2220–2251 (Mi zvmmf735)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краевая задача для моделирования физических полей в полупроводниковом диоде

С. И. Безродных, В. И. Власов

119991 Москва, ул. Вавилова, 40, ВЦ РАН

Аннотация: Рассмотрена стационарная модель взаимодействия трех физических полей в полупроводниковом диоде (электрического поля, концентраций дырок и электронов). Эта модель, использующая диффузионно-дрейфовое приближение для токов и рекомбинационную функцию в форме Шокли–Рида–Холла, сводится к краевой задаче типа Дирихле–Неймана для сингулярно возмущенной системы трех нелинейных эллиптических уравнений. Для режима малых токов приближенное решение этой задачи найдено в явном виде для цилиндрического диода произвольного поперечного сечения. Приведенная оценка показывает, что это решение весьма близко (в равномерной норме) к точному для широкого диапазона исходных параметров задачи. Представлены численные результаты. Библ. 22. Фиг. 7.

Ключевые слова: система нелинейных дифференциальных уравнений с частными производными, сингулярное возмущение, численные методы.

Полный текст: PDF файл (3956 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Computational Mathematics and Mathematical Physics, 2004, 44:12, 2112–2142

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
УДК: 519.634
MSC: Primary 82D37; Secondary 35Q60, 35J60, 35B25
Поступила в редакцию: 13.08.2004

Образец цитирования: С. И. Безродных, В. И. Власов, “Краевая задача для моделирования физических полей в полупроводниковом диоде”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 44:12 (2004), 2220–2251; Comput. Math. Math. Phys., 44:12 (2004), 2112–2142

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BezVla04}
\by С.~И.~Безродных, В.~И.~Власов
\paper Краевая задача для моделирования физических полей в полупроводниковом диоде
\jour Ж. вычисл. матем. и матем. физ.
\yr 2004
\vol 44
\issue 12
\pages 2220--2251
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/zvmmf735}
\mathscinet{http://www.ams.org/mathscinet-getitem?mr=2124967}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:1071.82057}
\transl
\jour Comput. Math. Math. Phys.
\yr 2004
\vol 44
\issue 12
\pages 2112--2142


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/zvmmf735
  • http://mi.mathnet.ru/rus/zvmmf/v44/i12/p2220

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. С. И. Безродных, В. И. Власов, “Эффективный метод решения сингулярно возмущенной системы нелинейных дифференциальных уравнений”, Труды Четвертой Международной конференции по дифференциальным и функционально-дифференциальным уравнениям (Москва, 14–21 августа, 2005). Часть 1, СМФН, 15, РУДН, М., 2006, 45–58  mathnet  mathscinet; S. I. Bezrodnykh, V. I. Vlasov, “Effective method for solving singularly perturbed systems of nonlinear differential equations”, Journal of Mathematical Sciences, 149:4 (2008), 1385–1399  crossref  mathscinet
    2. С. И. Безродных, В. И. Власов, “Аналитико-численный метод расчета взаимодействия физических полей в полупроводниковом диоде”, Матем. моделирование, 27:7 (2015), 15–24  mathnet  mathscinet  zmath  elib
  • Журнал вычислительной математики и математической физики Computational Mathematics and Mathematical Physics
    Просмотров:
    Эта страница:273
    Полный текст:100
    Литература:21
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018